[实用新型]晶圆位置矫正装置有效
申请号: | 201821286879.0 | 申请日: | 2018-08-09 |
公开(公告)号: | CN208444814U | 公开(公告)日: | 2019-01-29 |
发明(设计)人: | 梁倪萍;李垚;陈伏宏;刘家桦;叶日铨 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/68;H01L21/687 |
代理公司: | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人: | 杨楷;毛立群 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆 矫正机构 下电极 矫正装置 晶圆位置 本实用新型 电极 位置矫正装置 体内 刻蚀机台 实时监测 通信连接 良品率 检测 刻蚀 种晶 矫正 指令 | ||
1.一种晶圆位置矫正装置,设置在晶圆刻蚀机台的腔体内,在所述腔体内设有上电极和下电极,晶圆放置于所述上电极和所述下电极之间,其特征在于,包括检测机构、矫正机构以及与这两者通信连接的控制机构;
所述检测机构对所述晶圆的位置进行检测并将位置信息发送给所述控制机构,
所述控制机构基于由所述检测机构检测出的位置信息而控制所述矫正机构的动作,
所述矫正机构围绕所述晶圆设置于所述下电极,能够基于所述控制机构的指令而推动所述晶圆,使所述晶圆到达规定位置。
2.根据权利要求1所述的晶圆位置矫正装置,其特征在于,所述矫正机构包括驱动单元、矫正杆以及矫正器;
所述矫正杆的一端连接于所述驱动单元,另一端连接于所述矫正器;
所述矫正器的高度能够和所述晶圆位于同一高度平面内而与所述晶圆抵接;
所述驱动单元能够控制所述矫正杆在靠近或远离所述晶圆的方向上运动。
3.根据权利要求2所述的晶圆位置矫正装置,其特征在于,所述矫正杆能够在所述驱动单元的控制下进行升降。
4.根据权利要求2或3所述的晶圆位置矫正装置,其特征在于,所述矫正器的与所述晶圆抵接的一面设置成与所述晶圆形状贴合的弧形。
5.根据权利要求2或3所述的晶圆位置矫正装置,其特征在于,所述检测机构为光电传感器,所述光电传感器中的发光部设置于所述上电极与所述下电极中的一方,收光部设置于所述上电极与所述下电极中另一方的对应位置。
6.根据权利要求2或3所述的晶圆位置矫正装置,其特征在于,在所述下电极上形成有圆柱形凸台部,在所述凸台部上同轴地套设有遮挡环;
所述检测机构设置有多个,沿着与所述遮挡环同轴的、且半径为R1的圆周设置;
所述矫正杆以及所述矫正器分别设置有多个,沿着与所述遮挡环同轴的、且半径为R2的圆周设置;
R2>R1。
7.根据权利要求6所述的晶圆位置矫正装置,其特征在于,每个所述矫正器在独立的所述驱动单元的控制下移动。
8.根据权利要求1-3、7中的任一项所述的晶圆位置矫正装置,其特征在于,还包括报警器,所述报警器与所述控制机构通信连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造