[实用新型]晶片表面自动涂源设备有效
申请号: | 201821286188.0 | 申请日: | 2018-08-10 |
公开(公告)号: | CN208507637U | 公开(公告)日: | 2019-02-15 |
发明(设计)人: | 徐明星;张朝奇 | 申请(专利权)人: | 山东芯诺电子科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人: | 卢登涛 |
地址: | 272100 山东省济*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 源液 旋转工作台 摆臂升降装置 循环管道 联接 出源口 涂源 半导体器件生产 操作台 本实用新型 稳定性影响 搅拌装置 晶片表面 晶体表面 人员操作 生产效率 旋转装置 均匀性 扩散源 循环泵 外部 涂覆 正对 种晶 | ||
本实用新型公开一种晶片表面自动涂源设备,属于半导体器件生产技术领域,包括操作台,操作台中设有至少一个旋转工作台,旋转工作台的下方连接有旋转装置,旋转工作台的上方对应设置有摆臂升降装置,摆臂升降装置的外部联接有源液循环管道,源液循环管道上联接有循环泵,摆臂升降装置的下方设有出源口,出源口正对旋转工作台,源液循环管道的外部还联接有源液放置瓶,源液放置瓶的下方设有搅拌装置,本设备能够满足改善扩散源在晶体表面的均匀性涂覆,同时改善人员操作对生产效率及稳定性影响,解决了现有技术中出现的问题。
技术领域
本实用新型涉及一种晶片表面自动涂源设备,属于半导体器件生产技术领域。
背景技术
半导体晶片的生产工艺需要在硼扩生产前进行空面凃源,对已清洗好的晶片硼扩前需要进行凃源、烘烤、收片、装舟等操作,因其容易出扩散浓度不匀现象,其凃源均匀成为质量改善的影响因素,其缺点如下:现有的人工毛笔凃源随意性大不易控制,影响硼源在晶片表面均匀性;人员不定因素较大,影响生产进度。这是现有技术的不足之处。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种晶片表面自动涂源设备,能够满足改善扩散源在晶体表面的均匀性涂覆,同时改善人员操作对生产效率及稳定性影响,解决了现有技术中出现的问题。
本实用新型所述的晶片表面自动涂源设备,包括操作台,操作台中设有至少一个旋转工作台,旋转工作台的下方连接有旋转装置,旋转工作台的上方对应设置有摆臂升降装置,摆臂升降装置的外部联接有源液循环管道,源液循环管道上联接有循环泵,摆臂升降装置的下方设有出源口,出源口正对旋转工作台,源液循环管道的外部还联接有源液放置瓶,源液放置瓶的下方设有搅拌装置。
对晶片进行涂源时,首先启动搅拌装置,再次启动循环泵,待液体完成一循环后,拿取晶片分别放置到旋转工作台上,启动开始按钮,液体自出源口喷至晶片表面后旋转装置开始低速转动,晶片表面液体至1/2-1/4处时高速旋转,旋转完成后真空压力停止取下晶片放置加热板烘烤,完成涂源作业。
所述的操作台中设有放置槽,旋转装置设置在放置槽中,旋转装置包括电机和电机转轴,电机连接电机转轴,电机转轴连接旋转工作台;通过电机带动电机转轴旋转从而带动旋转工作台进行旋转。
所述的电机转轴内部中空,且内部设有负压装置,旋转工作台的上方设有吸盘,负压装置联接吸盘;电机为中空电机,内部中空可允许物体穿过;负压装置采用工业迷你型负压真空发生器,负压装置联接吸盘,通过吸盘可以有效固定晶片避免晶片移动。
所述的摆臂升降装置包括升降气缸,升降气缸的活塞杆的下方联接出源口,出源口上设有旋盖;出源口压力由高压氮气控制。
所述的操作台的上方联接有上支架,上支架上设有排风装置,操作台顶端排风开口大小与排风装置管道内径相同。
所述的电机的外部连接有控制面板,控制面板包括控制器用于控制电机,控制面板连接负压装置和循环泵,控制面板的外部连接有操作按钮;控制器控制电机的转速,设定转速范围要求400r/min-2000r/min。
所述的搅拌装置包括磁力搅拌器;磁力搅拌器可通过高压气罐对广口瓶内液体进行搅拌。
所述的循环泵包括四氟齿轮泵,可有效防止金属污染。
所述的源液循环管道包括四氟软管,液体始终在循环防止液体沉淀;晶片与液体可直接接触到的装置、管路、接口、桌面均为四氟材质,可有效防止有机溶剂腐蚀,同时可有效防止晶片污染。
所述的操作台顶端右侧连接有加热板排风金属罩。
本实用新型与现有技术相比,具有如下有益效果:
本实用新型所述的晶片表面自动涂源设备,能够满足改善扩散源在晶体表面的均匀性涂覆,同时改善人员操作对生产效率及稳定性影响,同时结构简单,方便操作,解决了现有技术中出现的问题。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造