[实用新型]晶片表面自动涂源设备有效

专利信息
申请号: 201821286188.0 申请日: 2018-08-10
公开(公告)号: CN208507637U 公开(公告)日: 2019-02-15
发明(设计)人: 徐明星;张朝奇 申请(专利权)人: 山东芯诺电子科技股份有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 代理人: 卢登涛
地址: 272100 山东省济*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 源液 旋转工作台 摆臂升降装置 循环管道 联接 出源口 涂源 半导体器件生产 操作台 本实用新型 稳定性影响 搅拌装置 晶片表面 晶体表面 人员操作 生产效率 旋转装置 均匀性 扩散源 循环泵 外部 涂覆 正对 种晶
【说明书】:

实用新型公开一种晶片表面自动涂源设备,属于半导体器件生产技术领域,包括操作台,操作台中设有至少一个旋转工作台,旋转工作台的下方连接有旋转装置,旋转工作台的上方对应设置有摆臂升降装置,摆臂升降装置的外部联接有源液循环管道,源液循环管道上联接有循环泵,摆臂升降装置的下方设有出源口,出源口正对旋转工作台,源液循环管道的外部还联接有源液放置瓶,源液放置瓶的下方设有搅拌装置,本设备能够满足改善扩散源在晶体表面的均匀性涂覆,同时改善人员操作对生产效率及稳定性影响,解决了现有技术中出现的问题。

技术领域

本实用新型涉及一种晶片表面自动涂源设备,属于半导体器件生产技术领域。

背景技术

半导体晶片的生产工艺需要在硼扩生产前进行空面凃源,对已清洗好的晶片硼扩前需要进行凃源、烘烤、收片、装舟等操作,因其容易出扩散浓度不匀现象,其凃源均匀成为质量改善的影响因素,其缺点如下:现有的人工毛笔凃源随意性大不易控制,影响硼源在晶片表面均匀性;人员不定因素较大,影响生产进度。这是现有技术的不足之处。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种晶片表面自动涂源设备,能够满足改善扩散源在晶体表面的均匀性涂覆,同时改善人员操作对生产效率及稳定性影响,解决了现有技术中出现的问题。

本实用新型所述的晶片表面自动涂源设备,包括操作台,操作台中设有至少一个旋转工作台,旋转工作台的下方连接有旋转装置,旋转工作台的上方对应设置有摆臂升降装置,摆臂升降装置的外部联接有源液循环管道,源液循环管道上联接有循环泵,摆臂升降装置的下方设有出源口,出源口正对旋转工作台,源液循环管道的外部还联接有源液放置瓶,源液放置瓶的下方设有搅拌装置。

对晶片进行涂源时,首先启动搅拌装置,再次启动循环泵,待液体完成一循环后,拿取晶片分别放置到旋转工作台上,启动开始按钮,液体自出源口喷至晶片表面后旋转装置开始低速转动,晶片表面液体至1/2-1/4处时高速旋转,旋转完成后真空压力停止取下晶片放置加热板烘烤,完成涂源作业。

所述的操作台中设有放置槽,旋转装置设置在放置槽中,旋转装置包括电机和电机转轴,电机连接电机转轴,电机转轴连接旋转工作台;通过电机带动电机转轴旋转从而带动旋转工作台进行旋转。

所述的电机转轴内部中空,且内部设有负压装置,旋转工作台的上方设有吸盘,负压装置联接吸盘;电机为中空电机,内部中空可允许物体穿过;负压装置采用工业迷你型负压真空发生器,负压装置联接吸盘,通过吸盘可以有效固定晶片避免晶片移动。

所述的摆臂升降装置包括升降气缸,升降气缸的活塞杆的下方联接出源口,出源口上设有旋盖;出源口压力由高压氮气控制。

所述的操作台的上方联接有上支架,上支架上设有排风装置,操作台顶端排风开口大小与排风装置管道内径相同。

所述的电机的外部连接有控制面板,控制面板包括控制器用于控制电机,控制面板连接负压装置和循环泵,控制面板的外部连接有操作按钮;控制器控制电机的转速,设定转速范围要求400r/min-2000r/min。

所述的搅拌装置包括磁力搅拌器;磁力搅拌器可通过高压气罐对广口瓶内液体进行搅拌。

所述的循环泵包括四氟齿轮泵,可有效防止金属污染。

所述的源液循环管道包括四氟软管,液体始终在循环防止液体沉淀;晶片与液体可直接接触到的装置、管路、接口、桌面均为四氟材质,可有效防止有机溶剂腐蚀,同时可有效防止晶片污染。

所述的操作台顶端右侧连接有加热板排风金属罩。

本实用新型与现有技术相比,具有如下有益效果:

本实用新型所述的晶片表面自动涂源设备,能够满足改善扩散源在晶体表面的均匀性涂覆,同时改善人员操作对生产效率及稳定性影响,同时结构简单,方便操作,解决了现有技术中出现的问题。

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