[实用新型]半导体激光二极管芯片高速直调动态光谱测试装置有效
申请号: | 201821284115.8 | 申请日: | 2018-08-10 |
公开(公告)号: | CN208580179U | 公开(公告)日: | 2019-03-05 |
发明(设计)人: | 邱德明;张振峰;杨国良 | 申请(专利权)人: | 武汉盛为芯科技有限公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 武汉维创品智专利代理事务所(特殊普通合伙) 42239 | 代理人: | 余丽霞 |
地址: | 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体激光二极管芯片 调制 光谱仪 本实用新型 测试装置 动态光谱 同轴电缆 直流电流 电流源 偏置器 芯片 探针 光纤 激光二极管芯片 透镜 脉冲调制电流 测试半导体 测试 背部电极 动态调制 光谱特性 驱动电流 透镜耦合 直流测试 测试台 发射光 驱动源 直流源 光谱 封装 合格率 保证 | ||
1.半导体激光二极管芯片高速直调动态光谱测试装置,包括半导体激光二极管芯片(21)、探针(22)、测试台(24)、光纤(23)、透镜(25)和光谱仪(27),其特征在于,还包括电流源(26)、偏置器(28)和同轴电缆(29);
所述半导体激光二极管芯片(21)放于测试台(24)上,电流源(26)通过探针(22)及半导体激光二极管芯片背部电极给半导体激光二极管芯片(21)供电,所述电流源(26)包括直流源(261)和调制驱动源(262),所述直流源(261)和调制驱动源(262)采用偏置器(28)经过同轴电缆(29)选择接入供电电路中,分别给半导体激光二极管芯片(21)提供直流电流和脉冲调制电流,半导体激光二极管芯片(21)发射光通过透镜(25)耦合到光纤(23)进入光谱仪(27),光谱仪(27)测试半导体激光二极管芯片(21)的光谱特性。
2.根据权利要求1所述的半导体激光二极管芯片高速直调动态光谱测试装置,其特征在于:所述调制驱动源(262)内部设有阻抗匹配电路。
3.根据权利要求2所述的半导体激光二极管芯片高速直调动态光谱测试装置,其特征在于:所述阻抗匹配电路中设有匹配电阻,所述匹配电阻的电阻值为40~45Ω。
4.根据权利要求2或3所述的半导体激光二极管芯片高速直调动态光谱测试装置,其特征在于:所述阻抗匹配电路中的驱动电流为0~150mA。
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