[实用新型]一种用于无掩模光刻机的真空吸附控制装置有效
申请号: | 201821281329.X | 申请日: | 2018-08-09 |
公开(公告)号: | CN208537907U | 公开(公告)日: | 2019-02-22 |
发明(设计)人: | 魏云飞 | 申请(专利权)人: | 合肥芯碁微电子装备有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 | 代理人: | 王丽丽;奚华保 |
地址: | 230088 安徽省合肥市高新区*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 真空阀门 晶元 无掩模光刻机 本实用新型 真空发生器 控制装置 真空按钮 真空吸附 真空吸盘 连接线 开关电源 按下 吸附 读取 控制管脚 手动调节 有效解决 真空度数 曝光 报废率 电源端 节约 | ||
本实用新型涉及一种用于无掩模光刻机的真空吸附控制装置,包括真空吸盘、真空发生器及开关电源,所述真空吸盘的上方设置有晶元,真空吸盘通过管路与真空发生器连接,所述管路上设有真空阀门,所述真空阀门的控制管脚通过连接线与开关电源的电源端连接,所述连接线上设置有真空按钮。本实用新型所述的用于无掩模光刻机的真空吸附控制装置,通过按下真空按钮开关,真空阀门打开,晶元被吸附,曝光完成后可按下真空按钮,真空阀门关闭,可取下晶元。吸附时的真空度可通过真空度数显表来读取,并可通过手动调节真空发生器来调节真空度。本实用新型可有效解决因晶元在加工过程中固定不良而造成曝光不良的问题,减少报废率,节约成本。
技术领域
本实用新型涉及无掩膜光刻技术领域,具体涉及一种用于无掩模光刻机的真空吸附控制装置。
背景技术
在半导体无掩模光刻机应用过程中,由于光刻机内部光刻物镜的焦深很有限,所以曝光工艺对wafer的表面平面度要求很高。一方面要固定好wafer,另一方面又不能让wafer发生细微形变,影响曝光效果,这种细微形变指1um以上的形变,这种近乎苛刻的要求成为了半导体无掩模光刻系统中一大难题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种用于无掩模光刻机的真空吸附控制装置,可有效解决因wafer在加工过程中固定不良而造成曝光不良的问题,减少报废率,节约成本。
为实现上述目的,本实用新型采用了以下技术方案:
一种用于无掩模光刻机的真空吸附控制装置,包括真空吸盘、真空发生器及开关电源,所述真空吸盘的上方设置有晶元,真空吸盘通过管路与真空发生器连接,所述管路上设有真空阀门,所述真空阀门的控制管脚通过连接线与开关电源的电源端连接,所述连接线上设置有真空按钮。
作为上述技术方案的进一步改进:
还包括真空度数显示表,所述真空度数显示表安装在真空吸盘与真空阀门之间的管路上。
所述真空吸盘上设有多个气孔,其侧面设有气孔,通过控制电源的开断控制真空吸盘吸附晶元。
由上述技术方案可知,本实用新型所述的用于无掩模光刻机的真空吸附控制装置,通过按下真空按钮开关,真空阀门打开,晶元被吸附,曝光完成后可按下真空按钮,真空阀门关闭,可取下晶元。吸附时的真空度可通过真空度数显表来读取,并可通过手动调节真空发生器来调节真空度。本实用新型可有效解决因晶元在加工过程中固定不良而造成曝光不良的问题,减少报废率,节约成本。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型做进一步说明:
如图1所示,本实施例的用于无掩模光刻机的真空吸附控制装置,包括真空吸盘1、真空发生器4、真空度数显示表2及开关电源5,真空吸盘1的上方设置有晶元(wafer)11,真空吸盘1通过软管7与真空发生器4连接,软管7上设有真空阀门3,真空阀门3的控制管脚通过连接线与开关电源5的电源端连接,连接线上设置有真空按钮6,真空度数显示表2安装在真空吸盘1与真空阀门3之间的管路7上。
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