[实用新型]一种用于双面镀膜的载板有效
申请号: | 201821271649.7 | 申请日: | 2018-08-07 |
公开(公告)号: | CN208767325U | 公开(公告)日: | 2019-04-19 |
发明(设计)人: | 周桂宏 | 申请(专利权)人: | 南京仁厚科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/673 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 崔振 |
地址: | 210000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 镀膜 有效地 载板 双面镀膜 硅片 减小 接触位置 电池片 挂钩 遮挡 印记 承载 太阳能电池片 本实用新型 板式 气体流动 倾斜支腿 支腿端部 倾斜部 散热 翻面 暴露 制造 | ||
本实用新型涉及太阳能电池片的制造技术领域,具体而言,涉及一种用于双面镀膜的载板。本实用新型提供的一种用于双面镀膜的载板,在板式PECVD镀膜过程中,当电池片承载于挂钩上时,挂钩的倾斜支腿可有效地扩大电池片暴露在外的面积,可尽量减少气体流动时的干扰,有效地减小对硅片的遮挡,有效地减小接触位置镀膜不充分的印记;同时,将所述支腿端部设置倾斜部,上下均做倾斜处理,使得该载板不仅仅适用于单上面镀膜或单下面镀膜,还可以同时进行上下镀膜,而不需要进行翻面切换;通过挂钩承载的方式,可以尽量减少载板散热对硅片的影响,并且接触面积小,尽量减少对硅片的遮挡,有效地减小接触位置镀膜不充分的印记。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池片的制造技术领域,具体而言,涉及一种用于双面镀膜的载板。
背景技术
碳纤维载板作为太阳能电池片镀膜工序中,装载电池片进入镀膜设备的一个装载用具,其材料由碳纤维材料和石墨材料组成,载板长度尺寸 700mm-2000mm,常用的规格有756,844,854,1000,1050,1524,1690, 1740,1860,1920;宽度尺寸1000mm-1300mm,常用的规格有1000mm,1110mm。
现有技术方案,如专利号CN201620629843.2,如图1所示,公开了一种适用于PERC电池片的双面镀膜石墨框;该专利所述的石墨边框的每个边框的顶面均设置有台阶和斜面,所述台阶和所述斜面由内至外设置,所述台阶的竖直面的顶端连接所述斜面的底端,多个所述斜面形成上大下小的倒锥形开口结构,所述台阶的竖直面的高度略大于硅片的厚度,所述台阶的宽度略大于硅片的预留边缘宽度。所述台阶的竖直面的顶端连接所述斜面的底端,硅片与台阶面接触面积大,对硅片的遮挡较大,使得镀膜不充分的印记较大。
实用新型内容
为解决现有技术中的上述问题,本实用新型的目的在于提供一种用于双面镀膜的载板。
本实用新型的实施例是这样实现的:
一种用于双面镀膜的载板,其包括至少一个单元,每个所述单元包括用于放置电池片的框架以及用于承载电池片的至少三个挂钩,所述挂钩设置于所述框架用于支撑电池片;所述挂钩包括两侧相对设置的倾斜支腿,所述支腿端部设置有倾斜部。在板式PECVD镀膜过程中,处于真空高温环境,通过微波促发工艺气体产生化学反应,沉积膜层附着在硅片表面;所以温度和工艺气体的流动对膜层的均匀性,有很大的影响,当电池片承载于挂钩上时,挂钩的倾斜支腿可有效地扩大电池片暴露在外的面积,可尽量减少气体流动时的干扰,有效地减小对硅片的遮挡,有效地减小接触位置镀膜不充分的印记;同时,将所述支腿端部设置倾斜部,上下均做倾斜处理,使得该载板不仅仅适用于单上面镀膜或单下面镀膜,还可以同时进行上下镀膜,而不需要进行翻面切换;通过挂钩承载的方式,可以尽量减少载板散热对硅片的影响,并且接触面积小,尽量减少对硅片的遮挡,有效地减小接触位置镀膜不充分的印记。
在本实用新型的一个实施例中:
上述用于双面镀膜的载板包括四个所述挂钩,所述挂钩设置于所述框架的四周。
在本实用新型的一个实施例中:
上述框架四周设置有分割筋,所述分割筋沿着中心向两端的方向厚度逐渐减小,形成对称设置的第一对倾斜面以及对称设置的第二对倾斜面,所述第一对倾斜面与所述第二对倾斜面相对设置;所述挂钩连接于所述分割筋。
在本实用新型的一个实施例中:
上述用于双面镀膜的载板还包括用于限定电池片的挡钩,所述框架一对侧框相对设置有两对所述挂钩,所述挂钩连接于所述分割筋;所述框架另一相对设置有两对所述挡钩,所述挡钩包括两侧相对设置的挡腿,所述挡钩连接于所述分割筋。
在本实用新型的一个实施例中:
上述挡钩与所述分割筋连接处设置有垫片。
在本实用新型的一个实施例中:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的