[实用新型]一种大电流低正向压降碳化硅肖特基二极管芯片有效
| 申请号： | 201821269958.0 | 申请日： | 2018-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN208478345U | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 宋迎新;杨晓亮;单维刚;沈中堂;李东华 | 申请（专利权）人： | 济南晶恒电子有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 济南诚智商标专利事务所有限公司 37105 | 代理人： | 杨先凯 |
| 地址： | 250014 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 正向压降 大电流 肖特基二极管芯片 层状金属 降低器件 电极 碳化硅 外延层 肖特基 金属 环状聚酰亚胺 双层外延生长 外延层电阻率 肖特基二极管 反向漏电流 欧姆接触层 注入氮离子 并联设计 肖特基结 制造成本 成品率 低势垒 钝化层 注入层 衬底 申请 离子 背面 掺杂 制作 | ||
1.一种大电流低正向压降碳化硅肖特基二极管芯片，其特征在于，包括背面层状金属电极、正面层状金属电极、欧姆接触层、衬底、外延层一、外延层二、P型保护环、N型离子注入层、肖特基金属Pt层、环状钝化层以及环状聚酰亚胺膜；
所述背面层状金属电极、欧姆接触层、衬底、外延层一以及外延层二从下往上依次叠加，所述衬底的上表面上设置有外延层一，所述外延层一的上表面上设置有所述外延层二，所述衬底的下表面上淀积设置有所述欧姆接触层，所述欧姆接触层的下表面上淀积设置有所述背面层状金属电极；
所述外延层二的上表面处通过离子注入设置有P型保护环；
所述外延层二的且位于所述P型保护环的环内的上表面处通过离子注入设置有所述N型离子注入层，且所述N型离子注入层填满所述P型保护环的内环；
所述环状钝化层设置在所述外延层二的上表面上且所述环状钝化层的下环状表面的内圈遮盖所述P型保护环的上环状表面的外圈；
所述N型离子注入层的上表面上淀积设置有所述肖特基金属Pt层，且所述肖特基金属Pt层填满所述环状钝化层的内环；
所述正面层状金属电极覆盖着所述肖特基金属Pt层的上表面以及所述环状钝化层的上环状表面的内圈；
所述环状聚酰亚胺膜覆盖着所述正面层状金属电极的上表面以及所述环状钝化层的上环状表面的外圈且外露出所述正面层状金属电极的上表面的中间区域。
2.根据权利要求1所述的碳化硅肖特基二极管芯片，其特征在于，所述P型保护环为Al离子掺杂P型保护环。
3.根据权利要求1所述的碳化硅肖特基二极管芯片，其特征在于，所述N型离子注入层为氮离子掺杂N型离子注入层。
4.根据权利要求1所述的碳化硅肖特基二极管芯片，其特征在于，所述正面层状金属电极为Al金属层或Au金属层。
5.根据权利要求1所述的碳化硅肖特基二极管芯片，其特征在于，所述背面层状金属电极包括从上到下依次叠加的Ni金属层与Ag金属层。
6.根据权利要求1所述的碳化硅肖特基二极管芯片，其特征在于，所述环状钝化层为二氧化硅层、氮化硅层或二氧化硅与氮化硅的混合物层。
7.根据权利要求1所述的碳化硅肖特基二极管芯片，其特征在于，所述欧姆接触层为金属镍层，厚度为200nm到300nm。
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