[实用新型]阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201821266166.8 | 申请日: | 2018-08-07 |
公开(公告)号: | CN208422916U | 公开(公告)日: | 2019-01-22 |
发明(设计)人: | 程鸿飞 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/64 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基底 阵列基板 半导体结构 本实用新型 导电结构 显示装置 引线结构 导体化 正投影 | ||
本实用新型提供一种阵列基板及显示装置,属于显示技术领域。本实用新型的阵列基板,包括基底,设置在所述基底上的引线结构;所述引线结构包括第一导电结构、导体化的半导体结构,所述导体化的半导体结构在所述基底上的正投影,与所述第一导电结构在所述基底上的正投影至少部分重叠。
技术领域
本实用新型属于显示技术领域,具体涉及一种阵列基板及显示装置。
背景技术
由于阵列基板上的不同引线具有不同的容抗,故在使用不同的引线传导同一数据信号、栅线信号或时钟信号时,不同引线最终输出的数据信号、栅线信号或时钟信号是不同的,从而导致由该阵列基板所组成的显示器显示不均匀。
因此,为解决上述的问题,本实用新型提供了一种新型的阵列基板。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提供一种能够调整引线容抗的阵列基板。
解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板,包括基底,设置在所述基底上的引线结构;所述引线结构包括第一导电结构、导体化的半导体结构,所述导体化的半导体结构在所述基底上的正投影,与所述第一导电结构在所述基底上的正投影至少部分重叠。
优选的,所述阵列基板包括设置在所述基底上的薄膜晶体管;
其中,
所述第一导电结构与所述薄膜晶体管的栅极同层设置,且材料相同;或者,所述第一导电结构与所述薄膜晶体管的源极和漏极同层设置,且材料相同。
进一步优选的,所述第一导电结构与所述薄膜晶体管的栅极同层设置;所述薄膜晶体管的栅极与有源层之间设置有栅极绝缘层;
所述导体化的半导体结构设置在所述基底靠近所述栅极绝缘层的一侧,所述第一导电结构设置在所述栅极绝缘层远离所述基底的一侧。
进一步优选的,所述第一导电结构与所述薄膜晶体管的源极和漏极同层设置;所述薄膜晶体管的栅极与源极、漏极之间设置有层间绝缘层;
所述导体化的半导体结构设置在所述基底靠近所述层间绝缘层的一侧,所述第一导电结构设置在所述层间绝缘层远离所述基底的一侧。
优选的,所述引线结构还包括第二导电结构,所述第二导电结构在所述基底上的正投影,与所述第一导电结构在所述基底上的正投影至少部分重叠。
进一步优选的,所述阵列基板包括设置在所述基底上的薄膜晶体管;其中,
第一导电结构和第二导电结构中的一者与所述薄膜晶体管的栅极同层设置,且材料相同;另一者与所述薄膜晶体管的源极和漏极同层设置,且材料相同。
进一步优选的,所述第一导电结构与所述薄膜晶体管的栅极同层设置,所述第二导电结构与所述薄膜晶体管的源极和漏极同层设置;所述薄膜晶体管的栅极与有源层之间设置有栅极绝缘层;所述薄膜晶体管的栅极与源极、漏极之间设置有层间绝缘层;所述栅极绝缘层、层间绝缘层依次设置在所述基底上;
所述导体化的半导体结构设置在所述基底靠近所述栅极绝缘层的一侧,所述第一导电结构设置在所述栅极绝缘层远离所述基底的一侧,所述第二导电结构设置在所述层间绝缘层远离所述基底的一侧。
进一步优选的,所述引线结构为多条,每条引线结构对应设置有一个第二导电结构;
每个所述第一导电结构的两侧分别设有过孔,所述过孔贯穿所述层间绝缘层和栅极绝缘层,所述导体化的半导体结构通过所述过孔与所述第二导电结构连接。
进一步优选的,多个所述第二导电结构为一体成型结构,多个所述导体化的半导体结构为一体成型结构;其中,
两相邻所述第一导电结构共用一个过孔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的