[实用新型]用于膜层沉积装置的气体注入管及膜层沉积装置有效
| 申请号： | 201821262692.7 | 申请日： | 2018-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN208667844U | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 郭帅 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳;陈丽丽 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 膜层沉积 气体注入管 本实用新型 轴向方向 进气孔 半导体制造技术 厚度差异 间隔排列 晶圆表面 气体分布 均匀性 渐变 侧壁 减小 膜层 生长 | ||
1.一种用于膜层沉积装置的气体注入管，其特征在于，包括位于所述气体注入管侧壁上并沿轴向方向间隔排列的多个进气孔，多个所述进气孔的孔径沿所述轴向方向渐变，以提高所述膜层沉积装置内气体分布的均匀性。
2.如权利要求1所述的气体注入管，其特征在于，在位于中间的进气孔指向位于端部的进气孔的所述轴向方向上，所述气体注入管上的多个所述进气孔的孔径逐渐增大；
所述端部为顶端和/或底端。
3.如权利要求1所述的气体注入管，其特征在于，在位于中间的进气孔指向位于端部的进气孔的所述轴向方向上，所述气体注入管上的多个所述进气孔的孔径逐渐减小；
所述端部为顶端和/或底端。
4.如权利要求1所述的气体注入管，其特征在于，在位于顶端的进气孔指向位于底端的进气孔的所述轴向方向上，所述气体注入管上的多个所述进气孔的孔径逐渐减小。
5.如权利要求1所述的气体注入管，其特征在于，在位于顶端的进气孔指向位于底端的进气孔的所述轴向方向上，所述气体注入管上的多个所述进气孔的孔径逐渐增大。
6.根据权利要求1所述的气体注入管，其特征在于，多个所述进气孔沿所述轴向方向等间隔分布。
7.根据权利要求1所述的气体注入管，其特征在于，所述进气孔的孔径为0.1mm-3mm。
8.如权利要求1至7任一项所述的气体注入管，其特征在于，所述气体注入管为石英管。
9.一种膜层沉积装置，其特征在于，包括：
反应腔室，适于放置用于承载晶圆的晶舟；
权利要求1至8任一项所述的气体注入管，至少设置有多个所述进气孔的一段位于所述反应腔室内，以向所述晶舟喷射气体，所述轴向方向与反应腔室的高度方向平行；
多个所述进气孔的孔径沿所述轴向方向渐变以提高所述反应腔室内气体在所述高度方向上的分布均匀性。
10.如权利要求9所述的膜层沉积装置，其特征在于，还包括开设在所述反应腔室上的排气口；
所述排气口与所述气体注入管分布于所述晶舟的相对两侧，用于排出所述反应腔室内的多余气体。
11.如权利要求9所述的膜层沉积装置，其特征在于，所述膜层沉积装置为原子层沉积装置。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
