[实用新型]带隙电路及电子设备

说明书

本实用新型涉及带隙电路及电子设备，带隙电路包括：运算放大器，包括正向输入端、反向输入端及输出端，输出端用于输出基准电压；第一电阻、第二电阻、第三电阻及第四电阻，第一电阻的一端及第二电阻的一端电连接于输出端，第二电阻的另一端电连接于第三电阻的一端及所述反向输入端，第四电阻的一端电连接于第一电阻的另一端及所述正向输入端；第一晶体管及第二晶体管，第一晶体管包括第一端、第二端及第三端，第二晶体管包括第四端、第五端及第六端，第二端、第三端、第五端及所述第六端接地，第一端电连接于第三电阻的另一端，第四端电连接于所述第四电阻的另一端。本实用新型提出的带隙电路的工作电压范围广，大大增加了带隙电路的适用情景。

技术领域

本实用新型涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种带隙电路及电子设备。

背景技术

针对微控制单元(Microcontroller Unit；MCU)的应用领域，根据不同客户应用，对芯片工作的电压范围要求也越来越高，例如由原来的直流5V电源供电改为电压较低的电池供电，原来的双节电池，改为单节电池供电等，大大降低的芯片的工作电压，要求芯片在更广的电压下都能正常工作。在传统5V工艺条件下，由于MOS管(metal oxidesemiconductor)阈值电压较高，传统的带隙一般工作在2V～5.5V，实现1.5V～5.5V的带隙存在较大的挑战。

实用新型内容

技术问题

有鉴于此，本实用新型要解决的技术问题是，如何拓宽工作电压范围。

解决方案

为了解决上述技术问题，根据本实用新型的一实施例，提供了一种带隙电路，所述带隙电路包括：

运算放大器，包括正向输入端、反向输入端及输出端，所述输出端用于输出基准电压；

第一电阻、第二电阻、第三电阻及第四电阻，所述第一电阻的一端及第二电阻的一端电连接于所述输出端，所述第二电阻的另一端电连接于所述第三电阻的一端及所述反向输入端，所述第四电阻的一端电连接于所述第一电阻的另一端及所述正向输入端；

第一晶体管及第二晶体管，所述第一晶体管包括第一端、第二端及第三端，所述第二晶体管包括第四端、第五端及第六端，所述第二端、所述第三端、所述第五端及所述第六端接地，所述第一端电连接于所述第三电阻的另一端，所述第四端电连接于所述第四电阻的另一端。

对于上述带隙电路，在一种可能的实施方式中，所述运算放大器还包括：

第一NMOS管，连接于所述正向输入端；

第二NMOS管，连接于所述反向输入端。

对于上述带隙电路，在一种可能的实施方式中，所述第一晶体管及所述第二晶体管为三极管，所述第一端、所述第二端、所述第三端分别为所述第一晶体管的发射极、基极及集电极，所述第四端、所述第五端及所述第六端分别为所述第二晶体管的发射极、基极及集电极。

对于上述带隙电路，在一种可能的实施方式中，所述第一晶体管的发射极面积是所述第二晶体管的发射极面积的N倍，其中，N为大于1的整数。

对于上述带隙电路，在一种可能的实施方式中，所述第三电阻可包括串联连接的第六电阻及第七电阻。

对于上述带隙电路，在一种可能的实施方式中，所述基准电压是根据所述第一电阻、所述第四电阻及所述第七电阻的电阻值确定的。

对于上述带隙电路，在一种可能的实施方式中，通过如下公式确定所述基准电压：

V_REF＝V_EB1+(V_T*ln(N))*(R1+R4)/R7，