[实用新型]一种超大芯片面积N衬底单向骤回TVS器件结构有效
| 申请号： | 201821258829.1 | 申请日： | 2018-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN208400853U | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 苏亚兵;王允;蒋骞苑;苏海伟;赵德益;叶毓明;李亚文;张利明;吴青青;冯星星;杜牧涵;赵志方 | 申请（专利权）人： | 上海长园维安微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙) 31298 | 代理人： | 衣然 |
| 地址： | 201202 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 背面 本实用新型 器件结构 衬底 芯片 背面金属图形 金属 尺寸一致 阳极金属 短路 良率 封装 延伸 | ||
【权利要求书】：
1.一种超大芯片面积N衬底单向骤回TVS器件结构，包括TVS芯片和载体，所述TVS芯片和载体在长度和宽度上的尺寸一致，其特征在于，所述TVS芯片背面阳极金属的面积小于所述载体的面积且不延伸至载体边沿。
2.根据权利要求1所述的超大芯片面积N衬底单向骤回TVS器件结构，所述TVS芯片背面设有氧化层且背面阳极金属与所述氧化层的高度差小于1um。
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