[实用新型]边磁体组件、反应腔室及半导体处理设备

权利要求书

1.一种边磁体组件，用于约束且使反应腔室内的溅射离子均匀沉积在晶圆表面，其特征在于，包括边磁体结构和升降机构，所述升降机构与所述边磁体结构连接，以调节所述边磁体结构在所述反应腔室轴向上的高度。

2.根据权利要求1所述的边磁体组件，其特征在于，所述升降机构包括螺柱和穿设在所述螺柱上的螺母，且所述螺柱和所述螺母相适配，其中，所述边磁体结构与所述螺母连接，通过旋转螺母来驱动所述边磁体结构沿所述螺柱上升或下降。

3.根据权利要求2所述的边磁体组件，其特征在于，所述边磁体结构包括环形框架和多个柱状磁铁，多个所述柱状磁铁在所述环形框架的内周间隔排布；所述环形框架包括沿所述反应腔室轴向相互间隔，且同轴设置的第一环形板和第二环形板，所述柱状磁铁固定在第一环形板和第二环形板之间；

在所述第一环形板上具有贯穿其厚度的第一通孔，对应地在所述第二环形板上具有贯穿其厚度的第二通孔；

所述螺柱穿过所述第一通孔和所述第二通孔；

所述螺母设置在所述第一环形板或者第二环形板的底部，且所述螺母的外径大于所述第一通孔或者第二通孔的直径。

4.根据权利要求3所述的边磁体组件，其特征在于，所述螺柱的数量为多个，且多个所述螺柱沿所述第一环形板的周向设置；所述第一通孔和所述第二通孔各自的数量与所述螺柱的数量相对应，且位置一一对应；所述螺母的数量与所述螺柱的数量相对应，且一一对应地设置。

5.根据权利要求4所述的边磁体组件，其特征在于，所述第一通孔的直径与所述螺柱的直径的差值取值范围在1mm～1.5mm；所述第二通孔的直径与所述螺柱的直径的差值取值范围在1mm～1.5mm。

6.根据权利要求1所述的边磁体组件，其特征在于，所述升降机构包括驱动源和传动机构，所述驱动源通过所述传动机构驱动所述边磁体上升或下降。

7.根据权利要求6所述的边磁体组件，其特征在于，所述驱动源为旋转驱动源；所述传动机构包括丝杠和与之相配合的滑块；所述滑块与所述边磁体连接；所述旋转驱动源用于驱动所述丝杠旋转。

8.根据权利要求2-7任意一项所述的边磁体组件，其特征在于，所述边磁体组件还包括间隔且同轴设置的第一定位板和第二定位板，所述螺柱的两端分别由所述第一定位板和所述第二定位板固定。

9.一种反应腔室，包括腔室本体和边磁体组件，所述边磁体组件在所述腔室本体的外周环绕设置，其特征在于，所述边磁体组件采用权利要求1-8中任一所述的边磁体组件。

10.一种半导体处理设备，其特征在于，包括权利要求9所述的反应腔室。