[实用新型]DDR接收器用参考电平电路有效
| 申请号： | 201821232923.X | 申请日： | 2018-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN208424338U | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 孔亮 | 申请（专利权）人： | 灿芯半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 上海湾谷知识产权代理事务所(普通合伙) 31289 | 代理人： | 李晓星 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区自由*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 参考电平 参考电平单元 参考电平电路 本实用新型 参考电流 接口信号 单元组 噪声影响 转换电路 转换 横贯 芯片 | ||
1.一种DDR接收器用参考电平电路，其特征在于，包括：
用于产生参考电平，并将参考电平转换参考电流的参考电平单元；
分别连接所述参考电平单元的多个接口信号单元组；以及
置于每个所述接口信号单元组中，用于将参考电流转换为参考电平的转换电路。
2.根据权利要求1所述的DDR接收器用参考电平电路，其特征在于，所述参考电平单元包括：运算放大器、第一电阻、第一至第四PMOS管以及第一至第二NMOS管，其中，
所述运算放大器的同相输入端接收参考电平，反相输入端连接所述第一PMOS管的漏极；
所述第一至第四PMOS管各自的源极接电源，各自的栅极连接所述运算放大器的输出端；
所述第一NMOS管的漏极通过第一电阻连接所述第一PMOS管的漏极，栅极连接所述运算放大器的反相输入端，源极连接所述第二NMOS管的漏极；
所述第二NMOS管的栅极连接所述第一NMOS管的漏极，源极接地。
3.根据权利要求2所述的DDR接收器用参考电平电路，其特征在于，所述参考电平单元还包括用于产生参考电平的电平产生电路。
4.根据权利要求1所述的DDR接收器用参考电平电路，其特征在于，所述转换电路包括并联的三组转换单元；
每组转换单元包括：第二电阻、第三NMOS管、第四NMOS管、第一开关和第二开关，其中，
所述第三NMOS管的漏极通过第二电阻连接所述参考电平单元，栅极通过第一开关连接所述参考电平单元，源极连接所述第四NMOS管的漏极；
所述第四NMOS管的栅极连接所述第三NMOS管的漏极，源极接地；
所述第三NMOS管的栅极通过第二开关接地。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于灿芯半导体（上海）有限公司，未经灿芯半导体（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821232923.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
