[实用新型]一种高电压精密零偏移同相比例衰减电路

权利要求书

1.一种高电压精密零偏移同相比例衰减电路，其特征在于：所述高电压精密零偏移同相比例衰减电路包括负载高压侧零偏移同相比例衰减电路和负载低压侧零偏移同相比例衰减电路；负载高压侧零偏移同相比例衰减电路包括负载高侧采样端，与所述负载高侧采样端连接的高压侧第一单位增益电路U1级，与所述高压侧第一单位增益电路U1级连接的高压比例衰减电路，与所述高压比例衰减电路电连接的高压侧第二单位增益电路U2级，所述高压比例衰减电路包括多个分压电阻，以及至少一个响应电容；负载低压侧零偏移同相比例衰减电路包括负载低侧采样端，与所述负载低侧采样端连接的低压侧第一单位增益电路U3级，与所述低压侧第一单位增益电路U3级连接的低压比例衰减电路，与所述低压比例衰减电路连接的低压侧第二单位增益电路U4级,所述低压比例衰减电路包括多个分压电阻，以及至少一个响应电容；高电压精密零偏移同相比例衰减电路还包括实现高压测试及静态切换控制的FPGA控制开关组。

2.根据权利要求1所述的高电压精密零偏移同相比例衰减电路，其特征在于：所述高压比例衰减电路包括4个阻抗Rsamp1、Rsamp2、Rsamp3、Rsamp4，以及与所述高压比例衰减电路中其中一个分压电阻并联的响应电容Csamp1；所述低压比例衰减电路包括4个阻抗Rsamp5、Rsamp6、Rsamp7、Rsamp8，以及与所述低压比例衰减电路中其中一个分压电阻并联的响应电容Csamp2。

3.根据权利要求1所述的高电压精密零偏移同相比例衰减电路，其特征在于：被检测负载两端高低两侧分别通过负载高侧采样端及负载低侧采样端与高电压精密零偏移同相比例衰减电路连接；再分别由高压侧第一单位增益电路U1级及低压侧第一单位增益电路U3级将负载两端高电压传输至高压比例衰减电路及低压比例衰减电路构成高侧衰减环节和低侧衰减环节，再由高压侧第二单位增益电路U2级及低压侧第二单位增益电路U4级构成高压精密零偏移同相比例衰减电路。

4.根据权利要求1所述的高电压精密零偏移同相比例衰减电路，其特征在于：高压侧第一单位增益电路U1级与低压侧第二单位增益电路U3级由对称式正负对称双电源供电和统一的模拟参考地AGND构成，实现正负宽范围高电压高频率范围信号的传输。

5.根据权利要求1所述的高电压精密零偏移同相比例衰减电路，其特征在于：所述FPGA控制开关组包括K1、K2、K3、K4、K5实现高压测试与静态非测试状态的有效切换。

6.根据权利要求1所述的高电压精密零偏移同相比例衰减电路，其特征在于：所述响应电容采用电容值大小能调节的电容，有效调节采样端电压响应情况。

7.根据权利要求2所述的高电压精密零偏移同相比例衰减电路，其特征在于：

输出电压：Vout=（Vh-Vc）=m*(V_hs-V_cs)

衰减系数m：

m = Rsamp4/(Rsamp1+Rsamp2+Rsamp3+Rsamp4)

= Rsamp8/(Rsamp5+Rsamp6+Rsamp7+Rsamp8)。