[实用新型]阵列基板、显示面板和显示设备有效
申请号: | 201821196232.9 | 申请日: | 2018-07-26 |
公开(公告)号: | CN208570606U | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
发明(设计)人: | 彭利满;刘祺;刘恒博;杨津;吴岩;李子华;张倩倩;王一;张国苹;徐海峰;黎文秀;王磊;陈志龙;薛智勇;王建强 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 王伟锋;刘铁生 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列基板 绝缘层 第一导电层 本实用新型 显示面板 显示设备 像素区域 信号输入 第二导电层 短路现象 区域对应 减小 交叠 走线 背离 | ||
本实用新型公开了一种阵列基板、显示面板和显示设备,涉及显示技术领域,用于减小阵列基板中交叠走线之间的短路现象,本实用新型的主要技术方案为:一种阵列基板,包括:第一导电层,所述第一导电层的一侧设有第一绝缘层,所述第一绝缘层背离于所述第一导电层的一侧设有第二导电层;所述阵列基板包括像素区域和信号输入区域,其中,所述像素区域对应的第一绝缘层厚度小于所述信号输入区域对应的第一绝缘层厚度。
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板、显示面板和显示设备。
背景技术
随着显示技术的快速发展,AMOLED显示设备已经成为了显示设备市场中的主要种类之一,AMLLED显示设备具有更宽的视角、更高的刷新率和更薄的尺寸,以满足广大消费者的需求。
AMOLED显示设备采用电流驱动方式,使AMOLED显示面板中的驱动电路较为复杂,在面板上会形成很多的电路走线,在相互重叠的电路走线之间设置绝缘层,可以避免电路走线之间发生短路,但是,当电路走线的电压过大时,就会使电路走线的重叠部分可能会击穿绝缘层,以导致短路现象的发生,造成显示设备的损坏。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型实施例提供一种阵列基板、显示面板和显示设备,主要目的是用于减小阵列基板中交叠走线之间的短路现象。
为达到上述目的,本实用新型主要提供如下技术方案:
一方面,本实用新型实施例提供了一种阵列基板,包括:
第一导电层,所述第一导电层的一侧设有第一绝缘层,所述第一绝缘层背离于所述第一导电层的一侧设有第二导电层;
所述阵列基板包括像素区域和信号输入区域,其中,所述像素区域对应的第一绝缘层厚度小于所述信号输入区域对应的第一绝缘层厚度。
可选地,所述第一导电层背离于所述第一绝缘层的一侧设有有源层。
可选地,所述有源层朝向于所述第一导电层的一侧设有第二绝缘层。
可选地,所述有源层背离于所述第一导电层的一侧设有缓冲层。
可选地,所述缓冲层背离于所述第一导电层的一侧设有衬底基板。
可选地,所述第二导电层背离于所述第一导电层的一侧设有平坦层。
可选地,所述像素区域对应的第一绝缘层厚度小于1000A-2500A。
可选地,所述信号输入区域对应的第一绝缘层厚度大于3000A-8000A。
另一方面,本实用新型实施例提供了一种显示面板,包括:所述的阵列基板。
另一方面,本实用新型实施例提供了一种显示设备,包括:所述的阵列基板。
本实用新型实施例提供了一种阵列基板,用于减小阵列基板中交叠走线之间的短路现象,而现有技术中,由于阵列基板中信号输入区域中的走线电压高于像素区域中的走线电压,当阵列基板在进行TFT老化测试时,需要输入较高电压,在信号输入区域中的第一导电层和第二导电层之间的第一绝缘层经常就会出现击穿现象,造成第一导电层和第二导电层的短路,影响阵列基板的品质,与现有技术相比,本实用新型实施例提供的阵列基板中,像素区域对应的第一绝缘层厚度小于信号输入区域对应的第一绝缘层厚度,这样可以在不影响像素区域第一绝缘层厚度的情况下,提高信号输入区域中第一绝缘层的厚度,这样既可以保证像素区域的显示效果,还可以减小信号输入区域中第一导电层和第二导电层之间的击穿短路现象。
附图说明
图1为本实用新型实施例提供的一种阵列基板的结构示意图;
图2位本实用新型中阵列基板的制备工艺中步骤一的结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的