[实用新型]版图结构有效

专利信息
申请号: 201821195882.1 申请日: 2018-07-26
公开(公告)号: CN208478283U 公开(公告)日: 2019-02-05
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 智云
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 特征图案 图形区 截断 版图结构 掩膜图案 节点区 界定 邻近 本实用新型 靠近设置 空白区域 空间区域 出节点 区时 制程 遮盖 制备 预留
【说明书】:

实用新型提供了一种版图结构。由于掩膜图案具有多个截断图形区,多个截断图形区靠近设置在遮盖图形区的边界上,从而在利用掩膜图案将第一特征图案界定为第二特征图案时,即可使所界定出的第二特征图案具有邻近截断图形区的边缘部分,并且该边缘部分在面对截断图形区的一侧与邻近的第二特征图案中的其他部分之间存在较大的空白区域。如此一来,在第二特征图案的边缘部分上定义出节点区时,即相应地为节点区预留出更大的空间区域,有效降低了后续在该节点区上所执行的相应工艺的制备难度并可增加相关工艺的制程窗口。

技术领域

本实用新型涉及半导体集成电路技术领域,特别涉及一种版图结构。

背景技术

随着半导体集成电路的不断发展,通常期望可以通过减小集成电路内各个特征膜层的尺寸以及减小相邻特征膜层之间的间距,由此来增加特征膜层的集成密度。然而,随着特征膜层的排布密集程度的不断增加,在对所形成的具备较小尺寸的特征膜层执行进一步的加工时,其工艺难度也更大,从而更容易产生缺陷。

图1a和图1b为现有的一种半导体集成电路器件的形成方法在其制备过程中的结构示意图。所述形成方法包括:

首先,参考图1a所示,形成第一特征膜层1,所述第一特征膜层具有第一特征图案。具体的,所述第一特征膜层1例如包括多个环状子膜层1a,多个环状子膜层1a沿着第一方向(X方向)依次平行排布,以及所述环状子膜层1a沿着第二方向(Y方向)延伸;

接着,结合参考图1a和图1b所示,形成一遮盖掩膜层2在所述第一特征膜层1上,所述遮盖掩膜层2遮盖所述第一特征膜层1其环状子膜层1a的中间区域,并暴露出所述环状子膜层1a的端部区域,以利用所述遮盖掩膜层2使被遮盖的环状子膜层1a的中间区域被保留,并使每一个环状子膜层1a被截断为两条相互分隔的条状子膜层1b,并可由多条所述条状子膜层1b构成第二特征膜层。

其中,所述遮盖掩膜层2通常为矩形(即,所述遮盖掩膜层2在第二方向上的边界通常为直线型边界),因此利用所述遮盖掩膜层2所界定出的多个条状子膜层1b其端部在第一方向(X方向)上对齐排布。

接着,继续参考图1b所示,在条状子膜层1b的端部上定义出一节点区,并形成节点接触层1c在所述节点区上。所述条状子膜层1b例如为传导线,一个所述节点接触层1c与一条条状子膜层1b电性连接,用于引出所述传导线。

然而,如图1b所示,由于多个条状子膜层1b其端部对齐排布,因此相邻的条状子膜层1b其相邻端部之间的距离较小,从而相应的限制了形成在端部上的节点接触层1c的尺寸,如此将容易导致节点接触层1c与条状子膜层1b之间存在较大的接触电阻;并且,预留给制备节点接触层1c时的工艺窗口较小,从而不仅使节点接触层1c其制备难度大,并且也极易引发节点接触层1c与邻近的条状子膜层1b发生短接的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种版图结构,以改善在版图结构中界定出的节点区,其与邻近图案存在较小的间距,从而不利于对节点区执行相关的工艺。

为解决上述技术问题,本实用新型提供一种版图结构,包括:

第一特征图案,所述第一特征图案包括至少一个第一子图案;以及,

掩膜图案,设置在所述第一特征图案的上方,所述掩膜图案具有遮盖图形区和多个截断图形区,所述遮盖图形区在第二方向上具有两个相对的第一边界和第二边界,所述第一边界和所述第二边界均沿着第一方向延伸;以及,多个所述截断图形区分别设置在靠近所述第一边界和所述第二边界的区域中;

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