[实用新型]一种TN型阵列基板及显示面板有效

专利信息
申请号: 201821195319.4 申请日: 2018-07-26
公开(公告)号: CN208367391U 公开(公告)日: 2019-01-11
发明(设计)人: 庄崇营;于靖;李林 申请(专利权)人: 信利半导体有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 邓义华;廖苑滨
地址: 516600 广*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 公共电极 阵列基板 遮光层 栅极线 本实用新型 显示面板 薄膜晶体管 漏光现象 膜层结构 生产效率 像素电极 增加生产 漏极层 数据线 栅极层 同层 生产成本 保证 覆盖 制作
【说明书】:

本实用新型提供了一种TN型阵列基板及显示面板,该TN型阵列基板包括多条数据线、多条栅极线、多个薄膜晶体管、多个像素电极、多个公共电极和多个遮光层;所述遮光层与所述公共电极一一对应,覆盖于所述公共电极与栅极线之间。本实用新型通过设置遮光层可以有效避免公共电极与栅极线之间因存在间隙而出现漏光现象,从而有效保证对比度,保证显示质量;通过使得遮光层与栅极层和漏极层材质一致且位于同层,可以采用现有工序完成制作,无需增加生产工序,提高了生产效率,降低了生产成本,同时也无需增加膜层结构,从而简化了阵列基板的结构。

技术领域

本实用新型涉及了显示技术领域,特别是涉及了一种TN型阵列基板及显示面板。

背景技术

随着各种显示设备的应用越来越普遍,对显示面板的需求不断增加,用户对显示面板的显示质量要求也越来越高。TN型显示面板因工艺简单,成本较低而应用广泛。在TN型显示面板,一般都是通过在阵列基板上设置与像素电极重叠的公共电极来形成存储电容的,但是这样会使得公共电极和与其相邻的栅极线之间出现间隙,此间隔会出现漏光现象,导致对比度降低,影响显示质量。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是能够有效解决现有的TN型阵列基板中公共电极和与其相邻的栅极线之间出现间隙导致漏光,使得比度降低影响显示质量的问题。

为解决上述技术问题,本实用新型提供了一种TN型阵列基板,包括多条数据线、多条栅极线、多个薄膜晶体管、多个像素电极、多个公共电极和多个遮光层;所述遮光层与所述公共电极一一对应,覆盖于所述公共电极与栅极线之间。

作为本实用新型的一种优选方案,所述薄膜晶体管包括与所述栅极线电性连接的栅电极、与所述数据线电性连接的源电极和与像素电极电性连接的漏电极。

作为本实用新型的一种优选方案,所述遮光层与所述源电极和漏电极材质一致且处于同层。

作为本实用新型的一种优选方案,所述公共电极与所述像素电极一一对应且位置重叠,形成存储电容。

作为本实用新型的一种优选方案,所述公共电极三面环绕所述像素电极设置。

本实用新型具有如下技术效果:本实用新型提供的一种TN型阵列基板通过设置遮光层可以有效避免公共电极与栅极线之间因存在间隙而出现漏光现象,从而有效保证对比度,保证显示质量,此外,通过使得遮光层与栅极层和漏极层材质一致且位于同层,可以采用现有工序完成制作,提高了生产效率,降低了生产成本,同时也无需增加膜层结构,从而简化了阵列基板的结构。

附图说明

图1为本实用新型提供的一种TN型阵列基板的结构示意图;

图2为本实用新型提供的一种遮光层在图1A-A剖面位置的布置示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的,技术方案和优点更加清楚,下面结合附图对本实用新型实施方式作进一步详细说明。显然,所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本实用新型的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

除非另外定义,本实用新型使用的技术术语或者科学术语应当为本实用新型所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本实用新型中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。在本实用新型的描述中,需要理解的是,若有术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明,不能理解为对本专利的限制,对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信利半导体有限公司,未经信利半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821195319.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top