[实用新型]利用可调电感和改善功率放大器线性度的电路结构

权利要求书

1.一种利用可调电感和改善功率放大器线性度的电路结构，其特征在于，该电路结构设置在集成电路上，包含片上变压器耦合输入网络、晶体管放大器电路、输出网络、控制及偏置产生电路和包络检测电路；所述片上变压器耦合输入网络设有电容电感并联谐振回路，所述晶体管放大器电路的输入端和输出端分别与片上变压器耦合输入网络以及所述输出网络连接，所述输出网络的输出端与天线及阻抗变换网络连接，所述输出网络设有电容电感并联谐振回路；其中，晶体管放大器电路设有电容电感并联谐振回路，所述电容电感并联谐振回路中包含可调电感和与之并联的电容，以改善功率放大器线性度；所述包络检测电路与所述控制及偏置产生电路连接，检测输入网络或输出网络的射频信号的包络信号，产生所述晶体管放大器电路所需的偏置信号和可调电感的控制信号。

2.如权利要求1所述的一种利用可调电感和改善功率放大器线性度的电路结构，其特征在于，所述片上变压器耦合输入网络中的电容电感并联谐振回路含有相互并联的电容和可调电感。

3.如权利要求1所述的一种利用可调电感和改善功率放大器线性度的电路结构，其特征在于，所述输出网络中的电容电感并联谐振回路含有相互并联的电容和可调电感。

4.如权利要求1所述的一种利用可调电感和改善功率放大器线性度的电路结构，其特征在于，所述晶体管放大器电路可设置为单级晶体管放大器电路，所述单级晶体管放大器电路设置为单端输入单端输出共源-共栅放大器第一模式；所述第一模式中，进一步包含：所述晶体管放大器电路为单级晶体管放大器电路，包含第一MOS晶体管、可调电感和第二MOS晶体管；所述第一MOS晶体管设有合适的工作点，所述第二MOS晶体管串联有用于输出负载和直流偏置通路的电感；第一电阻、接地旁路电容和所述可调电感构成偏置网络，以提供一个低阻抗的偏置回路；所述可调电感与所述第一MOS晶体管栅极的等效电容形成单级晶体管放大器电路输入端电容电感并联谐振回路；所述晶体管放大器电路输入端还设置有用于隔离直流电平以及通过射频信号的耦合电容；所述包络检测电路用于检测输入端、或者第一MOS晶体管栅极处、或者第二MOS晶体管的漏极处、或者天线端处的射频信号幅度，所述包络检测电路可产生合适的直流偏置。

5.如权利要求1所述的一种利用可调电感和改善功率放大器线性度的电路结构，其特征在于，所述晶体管放大器电路可设置为多级晶体管放大器电路；所述多级晶体管放大器电路为多级单端输入单端输出共源-共栅放大器级联第二模式；所述第二模式中，进一步包含：所述多级晶体管放大器电路为两级单端输入单端输出共源-共栅级联放大器，包含第一级共源-共栅放大器、可调变压器和第二级共源-共栅放大器；所述第二级共源-共栅放大器作为所述第一级共源-共栅放大器的负载，所述第二级共源-共栅放大器的负载包含天线及阻抗变换网络和与所述第二级共源-共栅放大器接地端的MOS晶体管串联的电感；所述第一级共源-共栅放大器的阻抗变换网络和电感网络与所述第二级共源-共栅放大器的输入端并联谐振回路融合为所述可调变压器；其中，所述可调变压器的初级线圈作为第一级共源-共栅放大器的负载以及作为所述第一级共源-共栅放大器和所述第二级共源-共栅放大器之间的阻抗变换网络；所述可调变压器的次级线圈与所述第二级共源-共栅放大器直流电源端的MOS晶体管的栅极处电容形成并联谐振回路；所述包络检测电路检测所述第一级共源-共栅放大器接电源端的MOS晶体管漏极处、或所述第二级共源-共栅放大器接地端的MOS晶体管栅极处、或所述第二级共源-共栅放大器接电源端的MOS晶体管漏极、或天线端处的射频信号包络，产生偏置电压加到与接地旁路电容相并联的电阻的一端处，再通过相互并联的该电阻和该接地旁路电容组合网络和可调变压器的次级线圈加到所述第二级共源-共栅放大器接地端的MOS晶体管栅极处。