[实用新型]一种聚对苯二甲酸乙二酯衬底异质结构

说明书

一种聚对苯二甲酸乙二酯衬底异质结构，属于可逆半导体到金属(SMT)一级转变涂层的制造技术领域。从下到上依次包括普通聚对苯二甲酸乙二酯衬底层、第一导电层、SnO₂材料层、VO₂材料层、第二导电层、抗腐蚀保护层。本发明采用采用VO₂/p‑SnO₂结构，既利用了N型VO₂温度驱动的可逆半导体到金属(SMT)一级转变的特性，又利用了p‑SnO₂结构可靠性，大功率、长寿命，低功率消耗以及价格低的特点，其两者结合的器件在大功率光电开关，大功率廉价的光存储器件等方面有着广阔的应用，解决了器件功率低价格昂贵的问题。

技术领域

本发明属于可逆半导体到金属(SMT)一级转变涂层的制造技术领域，特别是涉及一种聚对苯二甲酸乙二酯(PET)衬底异质结构。

背景技术

二氧化钒(VO₂)在341K的临界温度(Tc)下发生温度驱动的可逆半导体到金属(SMT)一级转变，并伴随着晶体对称性的改变。在低于Tc的温度下，VO₂处于单斜晶相(P21/c)的半导体态，其中V原子对的能量间隙为0.6eV。在高于Tc的温度下，VO₂处于四方晶系(P42/mnm)金属态，其中在费米能级和V3d带之间的重叠消除了上述带隙。这种晶体对称性和电子带结构的跃迁通常伴随着其电阻率和近红外传输的突然变化。因此，VO₂长期以来被认为是智能材料中的关键材料，凭借这些独特的性能，VO₂薄膜已被广泛研究。众所周知，衬底的选择对所生长的薄膜的电学和光学性质有重要的影响。然而，由于其价格问题的存在，很难在无定型玻璃基片上制备出高品质廉价的VO₂薄膜材料质结构。所以在无定型非晶体玻璃上制备出高质量廉价的VO₂材料是丞待解决的问题。

发明内容

针对上述存在的技术问题，本发明提供一种聚对苯二甲酸乙二酯衬底异质结构。可以制备高质量的结构器件，并提高使用寿命。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：

本发明一种聚对苯二甲酸乙二酯衬底异质结构，从下到上依次包括普通聚对苯二甲酸乙二酯衬底层、第一导电层、SnO₂材料层、VO₂材料层、第二导电层、抗腐蚀保护层。

优选地，所述第一导电层和第二导电层均为AZO透明导电薄膜。

优选地，所述第一导电薄膜和第二导电薄膜的厚度为100nm至800nm。

优选地，所述SnO₂材料层厚度为500nm至900nm。

优选地，所述VO₂材料层厚度为400nm至900nm。

优选地，所述抗腐蚀保护层为TiN抗腐蚀保护层。

优选地，所述TiN抗腐蚀保护层厚度为500nm至900nm。

优选地，所述聚对苯二甲酸乙二酯衬底层的厚度为0.4～1.2mm。

本发明的有益效果为：