[实用新型]一种适用于酸性气体、粉尘环境的后端反应及水洗喷淋装置

说明书

本实用新型公开了一种适用于酸性气体、粉尘环境的后端反应及水洗喷淋装置，涉及半导体制造过程中制成工艺气体处理设备的技术领域，包括第一反应腔、连接管道、第二反应腔、水洗室、连接软管、废水池和冷却塔，第一反应腔和第二反应腔通过连接管道连接，第二反应腔的底部和水洗室进气端连接，冷却塔和水洗室出气端连接，废水池通过连接软管和水洗室的底部出水法兰连接，水洗室内部设有喷头一并对称设于水洗室的左右两侧，冷却塔内部均布设有冷却板，冷却塔的顶部水平设有出气口。废气中的有机物进入第一和第二反应腔充分反应后，再经过水洗室和冷却塔的水洗喷淋和冷却降温后，达到排放标准后从出气口排出，整个装置结构合理，实用性强。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造过程中制成工艺气体处理设备的技术领域，具体涉及一种适用于酸性气体、粉尘环境的后端反应及水洗喷淋装置。

背景技术

在半导体制造过程中既有二氧化硫、氮氧化物、含氟气体等有害废气外排，也有大量的粉尘伴随废气排放到环境中，造成环境空气污染。应用在半导体行业的传统废气处理设备在长时间运行中会因为废气中含有的粉尘导致废气处理设备反应腔堵塞，缩短设备的维护周期，影响工厂的产能，同时，在长时间运行中会因为废气中的酸性气体加速腐蚀设备的金属管路及连接厂务排风的金属管路，造成气体泄漏，导致安全事件发生。

中国专利申请号为CN107051092A公开了一种废气处理设备，包括：喷淋净化装置，包括塔体和喷淋机构，塔体具有容纳腔，塔体内沿底部到顶部依次设有旋流结构层和填料层以将容纳腔分隔为第一腔室、第二腔室和第三腔室，塔体的底部设有与第一腔室连通的进气口和出水口，塔体的顶部设有与第三腔室连通的出气口；喷淋机构包括第一喷淋组件和第二喷淋组件；气体净化装置，包括具有净化腔的本体，本体上设有与净化腔连通的进风口和出风口，进风口与出气口连通，净化腔包括等离子反应腔，等离子反应腔内设有等离子电场发生器。

中国专利申请号为CN107051067A公开了一种一体化废气处理设备，包括：降温装置，包括壳体和降温喷淋机构，壳体具有降温腔，降温喷淋机构设于降温腔内，降温腔内从降温进气口至降温出气口设有多个隔板以将降温腔分隔为多个降温区，隔板上开设有通孔；喷淋净化装置，包括塔体和净化喷淋机构，塔体具有容纳腔，塔体上设有与容纳腔连通的净化进气口、净化出水口和净化出气口，净化喷淋机构设于容纳腔内，净化进气口与降温出气口连通；气体净化装置，包括具有净化腔的本体，本体上设有与净化腔连通的进风口和出风口，进风口与净化出气口连通，净化腔包括等离子反应腔。

通过对上述对比文件仔细分析后发现：对比文件1中所涉及的技术方案结构上过于复杂，维护成本较高；对比文件2中所涉及的技术方案装置占用的空间较大，不便应用于半导体制造过程中对制成工艺气体处理，因此，对应用于半导体制造过程中制成工艺气体处理设备需要重新进行更加合理的设计。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种适用于酸性气体、粉尘环境的后端反应及水洗喷淋装置，以解决现有技术中导致的上述多项缺陷。

一种适用于酸性气体、粉尘环境的后端反应及水洗喷淋装置，包括第一反应腔、连接管道、第二反应腔、水洗室、连接软管、废水池和冷却塔，所述第一反应腔包括反应腔一和主进气法兰一，所述主进气法兰一设于反应腔一的顶部中间，所述反应腔一的底部设有出气法兰，所述第二反应腔包括反应腔二和主进气法兰二，所述主进气法兰二设于反应腔二的顶部中间，所述出气法兰和主进气法兰二通过连接管道连接在一起，所述反应腔二的底部和水洗室连接，所述水洗室包括水洗腔体和设于水洗腔体内的喷头一，所述水洗腔体的顶部左边设有进气端，顶部右边设有出气端，水洗腔体的进气端和反应腔二的底部直接连接，水洗腔体的出气端和冷却塔的底部直接连接，所述水洗腔体的底部设有出水法兰并通过连接软管和废水箱连接，所述冷却塔内部均布设有冷却板，所述冷却塔内部的中间和上部分别设有喷头二和喷头三，所述冷却塔的顶部水平设有出气口。

优选的，所述反应腔一和反应腔二的顶部的两边分别设有辅进气法兰一和辅进气法兰二。