[实用新型]一种MOCVD使用的喷淋头有效
| 申请号： | 201821139286.1 | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN208485950U | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 王国宏;张韧剑;李志聪;赵新印;肖志 | 申请（专利权）人： | 扬州中科半导体照明有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 喷淋头 匀气 反应残留物 网孔 沉积 半导体技术领域 本实用新型 机台 孔洞 外延生产 相对设置 稼动率 预反应 包覆 停机 网体 钼丝 流出 洁净 清洁 | ||
【权利要求书】：
1.一种MOCVD使用的喷淋头，包括喷淋头，其特征在于：还包括设置在喷淋头外表面的匀气网，所述匀气网为由相互交织的钼丝组成的具有网孔的网体，所述匀气网的网孔与喷淋头的孔洞相对设置，使经过喷淋头流出的气体正好经过匀气网网孔。
2.根据权利要求1所述MOCVD使用的喷淋头，其特征在于：钼丝直径为0.5～2mm，匀气网的网孔直径为0.5～4mm2 ，匀气网与喷淋头表面之间的距离小于5mm。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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