[实用新型]一种交直流漏电检测保护电路

权利要求书

1.一种交直流漏电检测保护电路，其特征在于，包括电流保护电路、整流电路、电压保护电路、可控硅电路、降压电路、滤波电路和漏电流检测电路，所述电流保护电路包括分别串联在三相电源中电阻的R6、R12、R15，所述电阻R6、R12之间并联压敏电阻RV1，所述电阻R6、R15之间并联压敏电阻RV2，所述电阻R12、R15之间并联压敏电阻RV3。

2.根据权利要求1所述的一种交直流漏电检测保护电路，其特征在于，所述整流电路包括二极管D2、D3、D4、D6、D7、D8，所述二极管D2、D3、D4输出端相连后与电压保护电路输入端相连，所述二极管D6、D7、D8输入端相连后与可控硅输出端相连，所述二极管D2输入端、二极管D6输出端相连后和串联有R6的电源相相连，所述二极管D3输入端、二极管D7输出端相连后和串联有R12的电源相相连，所述二极管D4输入端、二极管D8输出端相连后和串联有R15的电源相相连。

3.根据权利要求2所述的一种交直流漏电检测保护电路，其特征在于，所述电压保护电路包括脱扣器L1，所述脱扣器L1输入端与D2、D3、D4输出端相连，所述脱扣器L1输出端与可控硅电路输入端相连。

4.根据权利要求3所述的一种交直流漏电检测保护电路，其特征在于，所述电压保护电路还包括二极管D1，所述二极管D1输入端与脱扣器L1输出端相连后与可控硅电路输入端相连，所述二极管D1输出端与脱扣器L1输入端相连后与D2、D3、D4输出端相连。

5.根据权利要求1所述的一种交直流漏电检测保护电路，其特征在于，所述可控硅电路包括可控硅芯片CR1、CR2、电容C1、C4、电阻R3、R7和R16，所述可控硅芯片CR1上阳极端与电压保护电路输出端相连，所述可控硅芯片CR1下阴极端与可控硅芯片CR2上阳极端相连，所述可控硅芯片CR2下阴极端与整流电路输入端相连，所述电容C1和电阻R7并联在CR1的控制极端与下阴极端之间，所述电容C4和电阻R16并联在可控硅芯片CR2的控制极端和下阴极端，所述可控硅芯片CR1控制极端通过电阻R3串联在电压保护电路输出端。

6.根据权利要求1或5所述的一种交直流漏电检测保护电路，其特征在于，所述降压电路包括电阻R1、R2、R4、R5、R8、R9、R10、R11、R13、R14，所述电阻R1、R2并联后与电压保护电路输出端相连，所述R1和R2并联后、R4和R5并联后、R8和R9并联后、R10和R11并联后、R13和R14并联后依次串联，所述电阻R13、R14并联后与滤波电路的输入端相连。

7.根据权利要求6所述的一种交直流漏电检测保护电路，其特征在于，所述滤波电路包括电容C3和电解电容C2，所述电容C3两端并联在稳压二极管D5的阴极端和阳极端，所述电解电容C2正极端与降压电路的输出端相连，所述电解电容C2负极端与整流电路输入端相连。

8.根据权利要求1所述的一种交直流漏电检测保护电路，其特征在于，所述漏电流检测电路包括全相位高速漏电保护芯片CS6122、电阻R17、R18、电容C5、C6、C7、C8、C10和输入线圈，所述电阻R18两端分别接在输入线圈两根引线上，所述电阻R18和电容C7两端与全相位高速漏电保护芯片CS6122的2号输入信号管脚和3号电源管脚相连，所述电容C6两端分别与全相位高速漏电保护芯片CS6122的2号输入信号管脚和1号管脚相连，所述电容C10、C8连接在全相位高速漏电保护芯片CS6122的3号电源管脚和7号管脚之间，所述电容C5连接在全相位高速漏电保护芯片CS6122的4号管脚与8号管脚之间，所述电阻R17连接在全相位高速漏电保护芯片CS6122的4号管脚与7号管脚之间。