[实用新型]有机电致发光器件及显示面板

说明书

本实用新型涉及一种有机电致发光器件及显示面板，有机电致发光器件包括铟锡氧化物阳极层、铟锡氧化物纳米晶层和发光单元，所述铟锡氧化物纳米晶层设于所述铟锡氧化物阳极层上，所述发光单元设于所述铟锡氧化物纳米晶层上。铟锡氧化物纳米晶是一种稳定的纳米材料，具有较好的可打印性，透光率大于90％，且由于量子尺寸效应，铟锡氧化物纳米晶的费米能级附近的电子能级由准连续变为离散能级，形成不连续的导带和价带，能隙变宽，功函数增大，从而略高于铟锡氧化物阳极层的功函数。因此将铟锡氧化物纳米晶层设置在铟锡氧化物阳极层与发光单元之间可以降低二者之间的势垒，提升空穴注入能力，提高有机电致发光器件的效率和寿命。

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，特别是涉及一种有机电致发光器件及显示面板。

背景技术

有机电致发光器件(OLED)由于具有自发光、视角广、对比度高和低功耗等优点，被应用于新一代手机屏幕、电脑显示器、全彩电视等领域，受到行业的广泛关注。一般来说，有机电致发光器件各膜层可以通过蒸镀工艺和喷墨打印技术等方法制备。蒸镀工艺即在真空腔体内加热有机小分子材料，使其气化，通过金属掩膜板在玻璃基板上形成OLED膜层，但由于真空蒸镀设备昂贵，且无法制备大面积OLED器件，限制了OLED显示器的大规模使用。而喷墨打印技术具有材料利用率高、不受金属掩膜板尺寸限制等优点，是实现低成本制备大尺寸OLED显示器的关键技术。近年来，通过OLED材料的提升、打印工艺的改善以及器件结构的优化，印刷OLED的性能也有了大幅提升。

目前，有机电致发光器件的铟锡氧化物阳极层与发光单元之间存在一定的势垒，因此对于空穴的注入有一定损失，降低了有机电致发光器件的效率和寿命。

实用新型内容

基于此，有必要提供一种效率和寿命较高的有机电致发光器件。

一种有机电致发光器件，包括铟锡氧化物阳极层、铟锡氧化物纳米晶层和发光单元，所述铟锡氧化物纳米晶层设于所述铟锡氧化物阳极层上，所述发光单元设于所述铟锡氧化物纳米晶层上。

本实用新型的方案通过增设一层功函数略高于铟锡氧化物阳极层且透明稳定的铟锡氧化物纳米晶层，降低了铟锡氧化物阳极层与发光单元之间的势垒，提升了空穴注入能力。铟锡氧化物纳米晶是一种稳定的纳米材料，具有较好的可打印性，透光率大于90％，且由于量子尺寸效应，铟锡氧化物纳米晶的费米能级附近的电子能级由准连续变为离散能级，形成不连续的导带和价带，能隙变宽，功函数增大，从而略高于铟锡氧化物阳极层的功函数。同时，铟锡氧化物纳米晶因间隙较大，电导率偏低，不适宜直接用作阳极材料，因此选择将铟锡氧化物纳米晶层设置在铟锡氧化物阳极层与发光单元之间以降低二者之间的势垒，提升空穴注入能力，提高有机电致发光器件的效率和寿命。

在其中一个实施例中，所述铟锡氧化物纳米晶层的颗粒粒径为3nm～15nm。

在其中一个实施例中，所述铟锡氧化物纳米晶层的厚度为5nm～30nm。

在其中一个实施例中，还包括基板和像素限定层，所述铟锡氧化物阳极层设于所述基板上，所述像素限定层设于所述铟锡氧化物阳极层上，且所述像素限定层设有开口以至少部分暴露所述铟锡氧化物阳极层；所述发光单元设于所述开口内且覆盖于所述铟锡氧化物纳米晶层上。

在其中一个实施例中，还包括阴极层，所述阴极层设于所述发光单元上。

在其中一个实施例中，所述阴极层为铝层，厚度为100nm～150nm。

在其中一个实施例中，所述发光单元包括依次层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。

在其中一个实施例中，所述空穴注入层的厚度为50nm～100nm，所述空穴传输层的厚度为10nm～40nm，所述电子传输层和所述电子注入层的厚度为10nm～50nm。