[实用新型]一种带有防打火装置的离子源有效
申请号: | 201821119747.9 | 申请日: | 2018-07-16 |
公开(公告)号: | CN208368464U | 公开(公告)日: | 2019-01-11 |
发明(设计)人: | 任秀艳;吴灵美;曾自强;曹进文 | 申请(专利权)人: | 中国原子能科学研究院 |
主分类号: | H01J5/02 | 分类号: | H01J5/02;H01J5/06 |
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地址: | 102413 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 离子源 防打火 离子源头部 高压屏蔽 同位素 电磁分离 电极支架 外壳固定 高磁场 高电位 打火 | ||
本公开属于同位素领域,特别涉及一种带有防打火装置的离子源;该装置包括:高压屏蔽外壳、防打火罩、PIG板;其中高压屏蔽外壳固定在离子源头部;防打火罩固定在离子源头部和中部;两块儿PIG板通过电极支架固定在离子源头部两侧。大大降低了在同位素电磁分离器用离子源工作时,由于离子源处于高电位、高磁场情况下,经常出现打火的问题,提高了离子源的工作的稳定性。
技术领域
本公开属于同位素领域,特别涉及一种带有防打火装置的离子源。
背景技术
同位素分离器用离子源属于强流离子源的一种,主要用于产生待分离元素同位素离子,是电磁分离器的核心部件,它的性能的好坏,直接影响着主设备的性能。由于离子源是在高真空、高电压、高温、高磁场、离子轰击等恶劣的环境中工作,打火现象非常常见,比其它类型的离子源严重得多,对离子源的性能及束流品质有不可忽视的影响。特别容易引起离子源部件的损坏,影响正常的分离运行,同时高压打火,还会造成同位素之间互相的玷污。
这种离子源的“打火”,主要有“PIG”(Penning ion gauge)放电,电子飘逸放电和高压击穿尖端放电。
实用新型内容
(一)实用新型的目的
为克服现有技术的不足,本公开提供了一种减少放电、降低打火次数的带有防打火装置的离子源。
(二)技术方案
一种带有防打火装置的离子源,该离子源的防打火装置包括:高压屏蔽外壳;
其中所述高压屏蔽外壳固定在离子源头部;
所述高压屏蔽外壳包括:第一箱体和第二箱体;第一箱体与第二箱体固定连接,并且互相畅通,形成L型箱体结构的高压屏蔽外壳,并且在高压屏蔽外壳底部为敞开设置;
所述第二箱体顶部设置有U型排列的贯穿圆孔,且所述贯穿圆孔排列的成U型的开口对准第一箱体;
在所述贯穿圆孔排列成的U型内部设置有长方形贯穿圆孔。
所述第一箱体顶部设置有开口。
所述高压屏蔽外壳材质为不锈钢。
所述离子源防打火装置还包括:防打火罩;
其中所述防打火罩包括:外防打火罩和内防打火罩;所述内防打火罩固定在离子源中部,外防打火罩固定在离子源头部;
其中所述外防打火罩包括:圆筒和锥形筒;所述锥形筒的小径端直径小于圆筒的直径,并且锥形筒的小径端与圆筒固定连接;所述锥形筒的大径端设置有法兰;
其中所述内防打火罩包括:第一防护罩、第二防护罩和第三防护罩;
所述第二防护罩固定在第一防护罩上,所述第三防护罩固定在第二防护罩上。
所述第一防护罩为圆筒型结构,并且在所述第一防护罩底部设置有长方形贯穿孔。
所述第二防护罩为管型结构;且所述防护罩一端设置有法兰板。
所述第三防护罩包括:第一圆管和第二圆管;
所述第一圆管与第二圆管轴向固定连接;并且所述第一圆管外径小于第二圆管外径;
所述第二圆管的一半管壁材质为石墨,另外一半管壁材质为不锈钢;并且所述第二圆管两种材质的管壁分界线与第二圆管轴线平行。
所述离子源防打火装置还包括:PIG板;
其中所述PIG板通过电极支架固定在离子源头部两侧;
所述PIG板为槽钢型结构,并且PIG板的一侧支脚为弧形。
所述PIG板的数量为2。
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