[实用新型]一种带有防打火装置的离子源有效

专利信息
申请号: 201821119747.9 申请日: 2018-07-16
公开(公告)号: CN208368464U 公开(公告)日: 2019-01-11
发明(设计)人: 任秀艳;吴灵美;曾自强;曹进文 申请(专利权)人: 中国原子能科学研究院
主分类号: H01J5/02 分类号: H01J5/02;H01J5/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 102413 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 离子源 防打火 离子源头部 高压屏蔽 同位素 电磁分离 电极支架 外壳固定 高磁场 高电位 打火
【说明书】:

本公开属于同位素领域,特别涉及一种带有防打火装置的离子源;该装置包括:高压屏蔽外壳、防打火罩、PIG板;其中高压屏蔽外壳固定在离子源头部;防打火罩固定在离子源头部和中部;两块儿PIG板通过电极支架固定在离子源头部两侧。大大降低了在同位素电磁分离器用离子源工作时,由于离子源处于高电位、高磁场情况下,经常出现打火的问题,提高了离子源的工作的稳定性。

技术领域

本公开属于同位素领域,特别涉及一种带有防打火装置的离子源。

背景技术

同位素分离器用离子源属于强流离子源的一种,主要用于产生待分离元素同位素离子,是电磁分离器的核心部件,它的性能的好坏,直接影响着主设备的性能。由于离子源是在高真空、高电压、高温、高磁场、离子轰击等恶劣的环境中工作,打火现象非常常见,比其它类型的离子源严重得多,对离子源的性能及束流品质有不可忽视的影响。特别容易引起离子源部件的损坏,影响正常的分离运行,同时高压打火,还会造成同位素之间互相的玷污。

这种离子源的“打火”,主要有“PIG”(Penning ion gauge)放电,电子飘逸放电和高压击穿尖端放电。

实用新型内容

(一)实用新型的目的

为克服现有技术的不足,本公开提供了一种减少放电、降低打火次数的带有防打火装置的离子源。

(二)技术方案

一种带有防打火装置的离子源,该离子源的防打火装置包括:高压屏蔽外壳;

其中所述高压屏蔽外壳固定在离子源头部;

所述高压屏蔽外壳包括:第一箱体和第二箱体;第一箱体与第二箱体固定连接,并且互相畅通,形成L型箱体结构的高压屏蔽外壳,并且在高压屏蔽外壳底部为敞开设置;

所述第二箱体顶部设置有U型排列的贯穿圆孔,且所述贯穿圆孔排列的成U型的开口对准第一箱体;

在所述贯穿圆孔排列成的U型内部设置有长方形贯穿圆孔。

所述第一箱体顶部设置有开口。

所述高压屏蔽外壳材质为不锈钢。

所述离子源防打火装置还包括:防打火罩;

其中所述防打火罩包括:外防打火罩和内防打火罩;所述内防打火罩固定在离子源中部,外防打火罩固定在离子源头部;

其中所述外防打火罩包括:圆筒和锥形筒;所述锥形筒的小径端直径小于圆筒的直径,并且锥形筒的小径端与圆筒固定连接;所述锥形筒的大径端设置有法兰;

其中所述内防打火罩包括:第一防护罩、第二防护罩和第三防护罩;

所述第二防护罩固定在第一防护罩上,所述第三防护罩固定在第二防护罩上。

所述第一防护罩为圆筒型结构,并且在所述第一防护罩底部设置有长方形贯穿孔。

所述第二防护罩为管型结构;且所述防护罩一端设置有法兰板。

所述第三防护罩包括:第一圆管和第二圆管;

所述第一圆管与第二圆管轴向固定连接;并且所述第一圆管外径小于第二圆管外径;

所述第二圆管的一半管壁材质为石墨,另外一半管壁材质为不锈钢;并且所述第二圆管两种材质的管壁分界线与第二圆管轴线平行。

所述离子源防打火装置还包括:PIG板;

其中所述PIG板通过电极支架固定在离子源头部两侧;

所述PIG板为槽钢型结构,并且PIG板的一侧支脚为弧形。

所述PIG板的数量为2。

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