[实用新型]双电源合路装置

权利要求书

1.一种双电源合路装置，其特征在于，包括：第一偏置单元、第一开关单元、第二偏置单元、第二开关单元；

所述第一偏置单元包括输入端和输出端；所述第二偏置单元包括输入端和输出端；所述第一开关单元包括输入端、第一输出端、第二输出端和开关控制端；所述第二开关单元包括输入端、输出端和开关控制端；

所述第一偏置单元的输入端与主电源电连接，所述第一偏置单元的输出端与所述第一开关单元的开关控制端电连接；

所述第二偏置单元的输入端与备用电源电连接，所述第二偏置单元的输出端、所述第一开关单元的第二输出端均与所述第二开关单元的开关控制端电连接；

所述第一开关单元的第一输出端与所述第二开关单元的输出端电连接，并作为所述双电源合路装置的输出端；

所述第一开关单元还包括第一PMOS场效应管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一三极管；所述第一PMOS场效应管的源极与所述主电源电连接，所述第一电阻的一端与所述第一PMOS场效应管的栅极电连接，所述第一电阻的另一端分别与所述第二电阻的一端、所述第三电阻的一端电连接，所述第二电阻的另一端与所述第一PMOS场效应管的源极电连接，所述第一PMOS场效应管的漏极作为所述第一输出端，所述第三电阻的另一端与所述第一三极管的集电极电连接，所述第一三极管的集电极作为所述第二输出端，所述第一三极管的基极作为所述第一开关单元的开关控制端，所述第一三极管的发射极接地；

所述第二开关单元还包括第二PMOS场效应管、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第二三极管；所述第二PMOS场效应管的源极与所述备用电源电连接，所述第四电阻的一端与所述第二PMOS场效应管的栅极电连接，所述第四电阻的另一端分别与所述第五电阻的一端、所述第六电阻的一端电连接，所述第五电阻的另一端与所述第二PMOS场效应管的源极电连接，所述第二PMOS场效应管的漏极作为所述第二开关单元的输出端，所述第六电阻的另一端与所述第二三极管的集电极电连接，所述第二三极管的基极作为所述第二开关单元的开关控制端，所述第二三极管的发射极接地；

所述第一三极管、所述第二三极管均为NPN型三极管；

所述第一偏置单元通过所述第一偏置单元的输出端向所述第一三极管输出第一偏置电压；

所述第二偏置单元通过所述第二偏置单元的输出端向所述第二三极管输出第二偏置电压。

2.如权利要求1所述的双电源合路装置，其特征在于，所述第一开关单元还包括第三PMOS场效应管、第七电阻，所述第二开关单元还包括第四PMOS场效应管、第八电阻；

所述第三PMOS场效应管的漏极作为所述第一开关单元的输入端，所述第三PMOS场效应管的源极与所述第一PMOS场效应管的源极电连接，所述第三PMOS场效应管的栅极与所述第七电阻的一端电连接，所述第七电阻的另一端与所述第一电阻的另一端电连接；

所述第四PMOS场效应管的漏极作为所述第二开关单元的输入端，所述第四PMOS场效应管的源极与所述第二PMOS场效应管的源极电连接，所述第四PMOS场效应管的栅极与所述第八电阻的一端电连接，所述第八电阻的另一端与所述第四电阻的另一端电连接。

3.如权利要求2所述的双电源合路装置，其特征在于，所述第一偏置单元包括第一稳压二极管、第一二极管、第九电阻、第十电阻、第一电容；所述第二偏置单元包括第二稳压二极管、第二二极管、第十一电阻、第十二电阻、第二电容；

所述第一稳压二极管的负极作为所述第一偏置单元的输入端，所述第一稳压二极管的正极与所述第九电阻的一端电连接，所述第九电阻的另一端与所述第一二极管的正极电连接，所述第一二极管的负极分别与所述第十电阻的一端、所述第一电容的一端电连接，所述第十电阻的另一端、所述第一电容的另一端均接地，所述第一二极管的负极作为所述第一偏置单元的输出端；

所述第二稳压二极管的负极作为所述第二偏置单元的输入端，所述第二稳压二极管的正极与所述第十一电阻的一端电连接，所述第十一电阻的另一端与所述第二二极管的正极电连接，所述第二二极管的负极分别与所述第十二电阻的一端、所述第二电容的一端电连接，所述第十二电阻的另一端、所述第二电容的另一端均接地，所述第二二极管的负极作为所述第二偏置单元的输出端。