[实用新型]半导体结构及芯片有效
| 申请号： | 201821113605.1 | 申请日： | 2018-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN208722888U | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 倪贤锋;范谦;何伟 | 申请（专利权）人： | 苏州汉骅半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟道层 半导体结构 芯片 缓冲层 衬底 外围电路设计 势垒层 线性度 申请 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底、位于所述衬底上的缓冲层、位于所述缓冲层上的第一沟道层、位于所述第一沟道层上的第二沟道层和位于所述第二沟道层上的势垒层，所述第一沟道层与第二沟道层之间存在第一二维电子气，所述第二沟道层与所述势垒层之间存在第二二维电子气。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一沟道层为InGaN沟道层，所述第二沟道层为GaN沟道层。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一沟道层为第一InGaN沟道层，所述第二沟道层为第二InGaN沟道层。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一InGaN沟道层中的In元素组份大于第二InGaN沟道层中的In元素组份。
5.根据权利要求2、3或4所述的半导体结构，其特征在于，所述InGaN沟道层中In元素的组份为10％-20％。
6.根据权利要求1、2或3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一沟道层的厚度为2nm-500nm，所述第二沟道层的厚度为2nm-200nm。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述势垒层为AlGaN势垒层或者InAlN势垒层。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述缓冲层上设有GaN掺杂层，所述GaN掺杂层位于所述第一沟道层、第二沟道层和势垒层所组成结构的两侧。
9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，一个所述GaN掺杂层上设有源极，另一个GaN掺杂层上设有漏极，所述势垒层上设有栅极。
10.一种芯片，其特征在于，包括权利要求1-9任意一项所述的半导体结构。
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