[实用新型]用于电源地的保护电路有效
| 申请号： | 201821110363.0 | 申请日： | 2018-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN208369189U | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 许海丽;曾国建;颛孙明明;余铿;程晓伟;杨彦辉;吉祥 | 申请（专利权）人： | 安徽锐能科技有限公司 |
| 主分类号： | H02H3/00 | 分类号： | H02H3/00;B60L3/04 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 肖冰滨;刘兵 |
| 地址： | 230000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 智能 电源地 电路 控制器模块 第一端 电源电路设计 接收控制信号 输出状态信号 本实用新型 输出端连接 控制模块 端接地 输出端 | ||
1.一种用于电源地的保护电路，其特征在于，所述保护电路包括：
智能MOSFET模块(01)，所述智能MOSFET模块(01)的第一端与所述电源地的输出端连接，所述智能MOSFET模块(01)的第二端接地，所述智能MOSFET模块(01)的第三端用于接收控制信号，所述智能MOSFET模块(01)的第四端用于输出状态信号；
控制器模块(02)，所述控制器模块(02)的第一端与所述智能MOSFET模块(01)的第三端连接，所述控制器模块(02)的第二端与所述智能MOSFET模块(01)的第四端连接。
2.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述控制器模块(02)的第一端和所述智能MOSFET模块(01)的第三端之间串接有第一电阻(R1)。
3.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述控制器模块(02)的第二端和所述智能MOSFET模块(01)的第四端之间串接有第二电阻(R2)，所述第二电阻(R2)和所述智能MOSFET模块(01)的第四端之间的节点通过第三电阻(R3)外接高电平信号。
4.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述智能MOSFET模块(01)包括：
可控开关(Q1)，所述可控开关(Q1)的一端与所述输出端连接，所述可控开关(Q1)的第二端接地；
栅极驱动器(GD)，所述栅极驱动器(GD)的第一端与所述输出端连接，所述栅极驱动器(GD)的第二端与所述可控开关(Q1)的控制端连接，所述栅极驱动器(GD)的第二端还通过第四电阻(R4)与所述可控开关(Q1)的另一端连接，所述栅极驱动器(GD)的第三端接地，所述栅极驱动器(GD)的第四端与所述智能MOSFET模块(01)的第三端连接，所述栅极驱动器(GD)的第五端与所述智能MOSFET模块(01)的第四端连接。
5.根据权利要求4所述的保护电路，其特征在于，所述栅极驱动器(GD)的第二端和所述可控开关(Q1)的控制端之间串接有第五电阻(R5)。
6.根据权利要求5所述的保护电路，其特征在于，所述栅极驱动器(GD)的第一端与所述可控开关(Q1)的一端之间的节点通过第一瞬态二极管(D1)与所述第五电阻(R5)和所述可控开关(Q1)的控制端之间的节点连接。
7.根据权利要求5所述的保护电路，其特征在于，所述第五电阻(R5)与所述可控开关(Q1)的控制端之间的节点通过第二瞬态二极管(D2)接地。
8.根据权利要求4所述的保护电路，其特征在于，所述可控开关(Q1)包括场效应管。
9.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述智能MOSFET模块(01)的第一端通过滤波电容接地。
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