[实用新型]电极及功率半导体模块有效

专利信息
申请号: 201821109654.8 申请日: 2018-07-12
公开(公告)号: CN208538835U 公开(公告)日: 2019-02-22
发明(设计)人: 杨俭;陈亮亮;石彩云;庞荣桦 申请(专利权)人: 比亚迪股份有限公司
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48
代理公司: 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 代理人: 吴立
地址: 518118 广东省*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 波浪结构 电极 底座 缓冲部 功率半导体模块 缓冲单元 电力电子技术领域 长度方向延伸 本实用新型 并排设置 均匀一致 使用寿命 应力分布 应力集中 形变 焊接面 受力 焊接 缓解
【权利要求书】:

1.一种电极,其特征在于,包括头部、缓冲部及底座,所述缓冲部连接在所述头部与所述底座之间,所述缓冲部包括至少一个第一缓冲单元,所述第一缓冲单元包括并排设置的第一波浪结构和第二波浪结构,所述第一波浪结构与所述第二波浪结构沿所述电极的长度方向延伸,所述第一波浪结构与所述第二波浪结构向相反的方向拱出。

2.根据权利要求1所述的电极,其特征在于,所述第一缓冲单元设有第一通孔,所述第一通孔位于所述第一波浪结构与第二波浪结构之间。

3.根据权利要求1或2所述的电极,其特征在于,所述缓冲部还包括第一连接单元,所述第一连接单元连接在所述头部与靠近所述头部的所述第一缓冲单元之间。

4.根据权利要求3所述的电极,其特征在于,所述缓冲部还包括第二连接单元,所述第二连接单元连接在靠近所述底座的所述第一缓冲单元与所述底座之间。

5.根据权利要求4所述的电极,其特征在于,所述第二连接单元为垂直于所述底座的平板。

6.根据权利要求4所述的电极,其特征在于,所述第二连接单元固定在所述底座的上表面的中间位置;或者,

所述第二连接单元固定在所述底座的上表面的边缘位置。

7.根据权利要求3所述的电极,其特征在于,所述缓冲部还包括至少一个第二缓冲单元,所述第二缓冲单元连接在所述第一连接单元与所述第一缓冲单元之间,所述第二缓冲单元包括并列设置的第三波浪结构和第四波浪结构,所述第三波浪结构与所述第四波浪结构沿所述电极的长度方向延伸,所述第三波浪结构与所述第四波浪结构向相反的方向拱出。

8.根据权利要求7所述的电极,其特征在于,所述第二缓冲单元设有第二通孔,所述第二通孔位于所述第三波浪结构与第四波浪结构之间。

9.根据权利要求7所述的电极,其特征在于,所述第一波浪结构与所述第三波浪结构沿所述电极的长度方向排成一行,所述第二波浪结构与所述第四波浪结构沿所述电极的长度方向排成一行,所述第一波浪结构与所述第三波浪结构向相反的方向拱出,所述第二波浪结构与所述第四波浪结构向相反的方向拱出。

10.根据权利要求3所述的电极,其特征在于,所述第一连接单元与所述头部之间形成齿槽。

11.一种功率半导体模块,其特征在于,包括权利要求1-10任意一项所述的电极。

12.一种功率半导体模块,其特征在于,包括基板、密封胶、封装壳体及权利要求1-10任意一项所述的电极,所述封装壳体罩设在所述基板上以形成空腔,所述密封胶填充在所述空腔内且包覆所述基板,所述密封胶的上表面处于靠近所述底座的所述第一缓冲单元的下方,所述封装壳体的顶壁设置有穿孔,所述电极的底座固定在所述基板上,所述电极穿过所述穿孔,所述电极的头部插接在外部的PCB板上。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于比亚迪股份有限公司,未经比亚迪股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821109654.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top