[实用新型]喷淋头结构有效
申请号: | 201821106783.1 | 申请日: | 2018-07-12 |
公开(公告)号: | CN208637384U | 公开(公告)日: | 2019-03-22 |
发明(设计)人: | 林博文 | 申请(专利权)人: | 凯乐士股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京申翔知识产权代理有限公司 11214 | 代理人: | 黄超;周春发 |
地址: | 中国台湾桃园*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 座体 多孔质陶瓷 喷淋头结构 槽区 进气口 本实用新型 连通孔隙 喷淋头 连通 作业稳定性 传统使用 金属材质 晶圆表面 使用寿命 制造成本 孔隙率 复数 制程 覆盖 | ||
本实用新型揭露一种适用于晶圆表面处理的喷淋头结构,所述喷淋头结构包含:一座体,该座体的一面设有一进气口,且该座体设有连通该进气口一槽区;以及多孔质陶瓷盘,设置于该座体一面并覆盖该槽区,且该多孔质陶瓷盘具有复数个连通该槽区的连通孔隙;其中,该多孔质陶瓷盘的孔隙率为10%至50%,各该连通孔隙的直径为500μm以下。本实用新型能够降低传统使用金属材质喷淋头的制造成本,并能够减少杂质产生,且增长喷淋头使用寿命,进而改善制程作业稳定性。
技术领域
本实用新型是有关于一种喷淋头,特别是有关于一种用于晶圆表面处理的设备的喷淋头结构。
背景技术
喷淋头通常用于半导体制程设备中,可对晶圆的表面分布制程气体,进而执行沉积、蚀刻或其他制程作业。
如图1所示,一般的喷淋头结构包含有座体1及花盘2,花盘2设置于座体1的一面,且花盘2具有复数个独立孔洞201。当制程气体经由座体1的进气口101进气时,可透过花盘2的复数个独立孔洞201喷出,进而得以对晶圆的表面进行沉积或蚀刻等处理作业。
然而,习知的花盘2为金属材料所制,而每一个独立孔洞201则是在花盘2制作完成之后再透过钻头进行钻孔的方式逐一钻孔加工形成,如此一来,不但钻头的损耗大,造成制造成本增加之外,钻孔的作业也相当地费时费力。而且,金属材质的喷淋头因不耐制程气体的腐蚀与冲蚀,会产生金属微粒子杂质(particle),污染晶圆表面。又,花盘孔洞的孔径受制程气体的冲蚀逐渐扩大将造成制程作业的不稳定性。
实用新型内容
有鉴于上述习知技艺的问题,本实用新型所解决的技术问题即在提供一种可降低传统的金属材质喷淋头的制造成本,减少杂质(particle)产生,并增长喷淋头使用寿命进而改善制程作业稳定性的多孔质(Porous)陶瓷盘的喷淋头结构。
本实用新型所采用的技术手段如下所述。
根据本实用新型的目的,提出一种喷淋头结构,适用于晶圆表面处理,所述喷淋头结构包含:一座体,该座体的一面设有一进气口,且座体设有连通进气口的一槽区;以及一多孔质陶瓷盘,设置于座体的另一面并覆盖槽区,且多孔质陶瓷盘具有复数个连通槽区的连通孔隙,所述复数个连通孔隙为多孔质陶瓷盘于生产制程中经干压成型与烧结作业所生成,其中,多孔质陶瓷盘的孔隙率为10%至50%,各连通孔隙的直径为500μm以下。
依据上述技术特征,所述多孔质陶瓷盘的厚度为0.1mm至20mm。
依据上述技术特征,所述多孔质陶瓷盘由碳化硅所制。
依据上述技术特征,所述多孔质陶瓷盘选自由碳化硅、氧化铝、氮化铝及氮化硅所组成的群组中的至少其中之一所制,或其他陶瓷材料或各种陶瓷复合材料所制。
承上所述,本实用新型的喷淋头结构所产生的技术效果:主要利用碳化硅或其他陶瓷材料制作出多孔质陶瓷盘,且多孔质陶瓷盘所具有的复数个连通孔隙,是在多孔质陶瓷盘于生产制程中经干压成型与烧结作业即可控制生成,相较于习知技术的金属花盘,可省去后续的钻孔加工作业,不仅可降低制造成本及作业工时之外,不会被制程气体因冲蚀而产生小微粒杂质(particle),并且孔径不易受制程气体的冲蚀扩大而造成制程作业的不稳定性,以更为符合晶圆表面处理的制程作业需求。
附图说明
图1为习知技术的喷淋头结构的示意图。
图2为本实用新型的喷淋头结构的第一示意图。
图3为本实用新型的喷淋头结构的第二示意图。
图4为本实用新型的喷淋头结构的第三示意图。
图5为本实用新型的喷淋头结构的实施例的示意图。
图号说明:
1、10 座体
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造