[实用新型]一种低容结构的低残压ESD浪涌防护器件

说明书

本实用新型公开了一种低容结构的低残压ESD浪涌防护器件，包括通过电连接关系连接的降容管D1、TVS管D4、肖特基管D2、NPN管T1和正向降容管D3；其中降容管D3提供正向电流通路；D1与T1构成PNPN结构，为主放电通道；TVS管D4提供开启电压。本实用新型设计合理，实现的单向大骤回SCR结构的保护器件，通过双沟槽工艺，实现了极低电容的SCR结构保护器件，能够满足当前低残压保护需求，且该器件具有低电容、低钳位和大浪涌通流能力等特点。

技术领域

本实用新型属于半导体元器件装置，更具体地说，涉及一种低容结构的低残压ESD浪涌防护器件。

背景技术

由于工艺限制，纵向低残压器件受Zener+R2R结构限制，残压一直难以降低。随着信号口保护受续流问题的影响变弱，SCR结构成为降低器件残压的最有效方式，然而为了实现单向SCR结构的器件，多种工艺被用于制作SCR结构的保护器件，各有优点，由于使用了多层结构，在器件正向实现上工艺变得非常复杂。平面结构相对而言要简单很多，但是为了取得需要动作的击穿电压，不得不采用比较低掺杂浓度降低击穿电压，这样导致电容难以做到很低。

实用新型内容

针对现有技术存在的不足，本实用新型的目的在于提供了一种低容结构的低残压ESD浪涌防护器件，设计合理，实现的单向大骤回SCR结构的保护器件，通过双沟槽工艺，实现了极低电容的SCR结构保护器件，能够满足当前低残压保护需求，且该器件具有低电容、低钳位和大浪涌通流能力等特点。

为实现上述目的，本实用新型提供了如下技术方案：

一种低容结构的低残压ESD浪涌防护器件，其特征在于：包括通过电连接关系连接的降容管D1、TVS管D4、肖特基管D2、NPN管T1和正向降容管D3；其中降容管D3提供正向电流通路；D1与T1构成PNPN结构，为主放电通道；TVS管D4提供开启电压。

作为一种优化的技术方案，所述TVS管自下而上依次由N型衬底、N+扩区和P+扩区构成，其中TVS管的阴极为N+扩区，N+扩区位于中央位置；P+扩区用于制作TVS管的阳极。

作为一种优化的技术方案，所述主放电通道自下而上依次由两个衬底N+Deep区、N-Epi区、P+基区和N+发射区构成；两个衬底N+Deep区设置在N-Epi区的两侧；P+基区的位置在N+发射区的上方，并在围绕TVS管的阳极中心位置等距离的地方留出能让门极触发时阴极短路孔上具有相同电位的阴极短路孔。

由于采用了上述技术方案，与现有技术相比，本实用新型设计合理，实现的单向大骤回SCR结构的保护器件，通过双沟槽工艺，实现了极低电容的SCR结构保护器件，能够满足当前低残压保护需求，且该器件具有低电容、低钳位和大浪涌通流能力等特点。

参照附图和实施例对本实用新型做进一步说明。

附图说明

图1是本实用新型一种实施例的电路原理图；

图2为本实用新型一种实施例制备完成后的整体结构示意图。

具体实施方式

实施例

如图1所示，一种低容结构的低残压ESD浪涌防护器件，包括通过电连接关系连接的降容管D1、TVS管D4、肖特基管D2、NPN管T1和正向降容管D3；其中降容管D3提供正向电流通路；D1与T1构成PNPN结构，为主放电通道；TVS管D4提供开启电压。

所述TVS管自下而上依次由N型衬底、N+扩区和P+扩区构成，其中TVS管的阴极为N+扩区，N+扩区位于中央位置；P+扩区用于制作TVS管的阳极。