[实用新型]一种POWER封装防氧化冷却系统有效
| 申请号: | 201821097420.6 | 申请日: | 2018-07-12 |
| 公开(公告)号: | CN208478301U | 公开(公告)日: | 2019-02-05 |
| 发明(设计)人: | 袁宏承 | 申请(专利权)人: | 无锡市宏湖微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京润文专利代理事务所(普通合伙) 11317 | 代理人: | 王晔 |
| 地址: | 214000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 导轨 冷却系统 防氧化 封装 冷却介质槽 上盖板 本实用新型 保护气体 导轨末端 冷却出口 冷却风扇 冷却进口 应力问题 逐步冷却 腰型孔 上端 急冷 背面 背后 保证 | ||
本实用新型涉及一种POWER封装防氧化冷却系统,包括导轨,所述导轨上设置便于产品经过的凹槽,到导轨上端罩上盖板,通过上盖板封住凹槽上侧,并在凹槽内通入保护气体,所述导轨末端背面还安装冷却风扇,所述导轨内部还开设冷却介质槽,所述冷却介质槽上开设冷却进口和冷却出口,所述导轨背后还开设安装腰型孔,所述POWER封装防氧化冷却系统,可防止产品氧化,且可对导轨及导轨上的产品进行逐步冷却,防止产品由于急冷产生应力问题,保证产品的可靠性。
技术领域
本实用新型涉及半导体封装领域,尤其涉及一种POWER封装防氧化冷却系统。
背景技术
为了防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而影响性能,需要对芯片进行封装;POWER封装时需要使用高温焊料,以便使产品获得良好的导电和导热性能;目前的技术中,产品装片后直接从高温导轨推入料盒,由于料盒中无气体保护,这是产品表面温度很高,容易导致产品氧化,另外,产品从高温导轨进入料盒时,产品从高温环境瞬间到低温环境,容易使产品内部产生应力,导致芯片隐裂而产生产品可靠性问题。
实用新型内容
本申请人针对以上缺点,进行了研究改进,提供一种POWER封装防氧化冷却系统。
本实用新型所采用的技术方案如下:
一种POWER封装防氧化冷却系统,包括导轨,所述导轨上设置便于产品经过的凹槽,到导轨上端罩上盖板,通过上盖板封住凹槽上侧,并在凹槽内通入保护气体,所述导轨末端背面还安装冷却风扇,所述导轨内部还开设冷却介质槽,所述冷却介质槽上开设冷却进口和冷却出口,所述导轨背后还开设安装腰型孔。
作为上述技术方案的进一步改进:
所述冷却介质槽包括交错的横向介质槽和纵向介质槽,所述冷却进口和冷却出口与横向介质槽连通,所述横向介质槽和纵向介质槽两端通过堵头封堵。
所述冷却介质槽内的冷却介质为冷却液或冷却气体。
所述导轨背面开设螺丝孔,所述冷却风扇通过连接螺丝固定在导轨背面。
所述导轨的凹槽末端设置出料倒角。
所述导轨一侧还设置安装传感器的传感器固定孔。
本实用新型的有益效果如下:
1、在轨道内通入保护气体,降低导轨内的含氧量,以便产品在导轨内通过时不会应为导轨的高温而是产品氧化;
2、导轨上设置冷却介质槽和冷却风扇,使产品导轨末端温度逐步降低,产品在出轨道时表面温度接近室温,可以避免急冷时产生应力问题,从而提高产品的可靠性。
附图说明
图1为本实用新型的POWER封装防氧化冷却系统的正视图。
图2为本实用新型的POWER封装防氧化冷却系统的侧视图。
图3为本实用新型的POWER封装防氧化冷却系统的导轨的结构示意图。
图中:1、导轨;11、凹槽;12、安装腰型孔;13、螺丝孔;14、出料倒角;15、传感器固定孔;2、上盖板;3、冷却风扇;4、冷却介质槽;41、冷却进口;42、冷却出口;43、横向介质槽;44、纵向介质槽;45、堵头。
具体实施方式
下面结合附图,说明本实施例的具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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