[实用新型]InSb薄膜转移装置有效
| 申请号： | 201821096124.4 | 申请日： | 2018-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN208596663U | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 陈意桥;马栋梁 | 申请（专利权）人： | 苏州焜原光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 昆山中际国创知识产权代理有限公司 32311 | 代理人： | 盛建德 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜转移 薄膜转移装置 传送杆 伸缩压力 伸缩杆 反转 进样 石英 压块 载台 生产周期 本实用新型 电子元器件 驱动 反转驱动 环境破坏 生产过程 压力滚轮 依次连接 重新建立 隔离阀 关闭腔 吸附台 气缸 腔体 伸入 下压 电机 室内 | ||
1.一种InSb薄膜转移装置，其特征在于：包括依次连接的进样反转室、薄膜转移室以及伸缩压力装置；所述薄膜转移室内设有光学载台、位于所述光学载台之上的石英压块和驱动所述石英压块下压的第一气缸；所述进样反转室包括能够伸入所述薄膜转移室的传送杆、驱动所述传送杆的反转驱动电机、位于所述传送杆的内侧末端的受体吸附台以及可往所述薄膜转移室开启的隔离阀，所述受体吸附台用来将受体送上光学载台；所述伸缩压力装置包括水平的伸缩杆以及设于所述伸缩杆的末端的压力滚轮，所述压力滚轮用来将薄膜在受体上抹平。
2.根据权利要求1所述的InSb薄膜转移装置，其特征在于：所述进样反转室上设有第一抽真空口。
3.根据权利要求1所述的InSb薄膜转移装置，其特征在于：所述薄膜转移室上设有第二抽真空口。
4.根据权利要求1所述的InSb薄膜转移装置，其特征在于：所述薄膜转移室内设有用来调整所述光学载台高度的第二气缸。
5.根据权利要求4所述的InSb薄膜转移装置，其特征在于：所述第一气缸和第二气缸上均设有压力传感器。
6.根据权利要求1所述的InSb薄膜转移装置，其特征在于：所述石英压块通过连接关节设置于第一气缸的主轴上。
7.根据权利要求1所述的InSb薄膜转移装置，其特征在于：所述伸缩杆上设有用来调节所述压力滚轮高度的第三气缸。
8.根据权利要求1所述的InSb薄膜转移装置，其特征在于：所述光学载台内设有S型回转的加热丝以及位于所述光学载台中央的热电偶。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
