[实用新型]一种太阳能电池晶体硅的清洗装置有效
| 申请号: | 201821073995.4 | 申请日: | 2018-07-05 |
| 公开(公告)号: | CN208570540U | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
| 发明(设计)人: | 刘宏;王春定;龚志国;姚学森;刘柏林 | 申请(专利权)人: | 天长市百盛半导体科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B3/02;B08B13/00 |
| 代理公司: | 合肥市长远专利代理事务所(普通合伙) 34119 | 代理人: | 傅磊 |
| 地址: | 239300 安徽省滁州市天长*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 活塞 活塞轴 安装轴 增压泵 废料收集箱 本实用新型 太阳能电池 出风通道 喷嘴安装 清洗装置 喷嘴 晶体硅 蓄水箱 连通 鼓风机 喷头 单晶硅片 废料收集 清洗效率 出风阀 传输管 防滑板 进料口 连通管 上端 下端 电机 | ||
本实用新型公开了一种太阳能电池晶体硅的清洗装置,安装轴之间安装有废料收集箱,废料收集箱的下端设有鼓风机,废料收集箱上设有进料口,废料收集箱内设有出风通道,出风通道上设有出风阀,安装轴的一侧安装有电机,安装轴上安装有第二活塞,第二活塞上安装有第二活塞轴,第二活塞轴上安装有第三活塞,第三活塞上安装有第三活塞轴,第三活塞轴上安装有防滑板,安装轴上端安装有蓄水箱,安装轴的一侧安装有第一活塞,第一活塞上安装有第一活塞轴,第一活塞轴上安装有增压泵,增压泵上安装有喷嘴安装轴,喷嘴安装轴上安装有喷头,喷头上设有多个喷嘴,喷嘴通过连通管与增压泵连通,增压泵通过传输管与蓄水箱连通。本实用新型能够有效提高单晶硅片的清洗效率和质量。
技术领域
本实用新型涉及单晶硅片加工设备的技术领域,尤其涉及一种太阳能电池晶体硅的清洗装置。
背景技术
单晶硅片的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅,然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。单晶硅可以用于二极管级、整流器件级、电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和深加工制造,其后续产品集成电路和半导体分离器件已广泛应用于各个领域,在军事电子设备中也占有重要地位。在单晶硅片的生产过程中需要对切割好的单晶硅片进行清洗,而目前太阳能电池晶体硅的清洗装置,清洗效率低,清洗质量差,无法满足实际使用时的需求,故此亟需开发一种高效率高质量的单晶硅片清洗装置来解决现有技术中的问题。
实用新型内容
为解决背景技术中存在的技术问题,本实用新型提出一种太阳能电池晶体硅的清洗装置,能够有效提高单晶硅片的清洗效率和质量。
本实用新型提出的一种太阳能电池晶体硅的清洗装置,包括安装轴,所述安装轴之间安装有废料收集箱,所述废料收集箱的下端设有鼓风机,所述废料收集箱上端设有进料口,所述废料收集箱内设有出风通道,所述出风通道上设有出风阀,所述安装轴的一侧安装有电机,所述安装轴远离电机的一侧安装有第二活塞,所述第二活塞远离安装轴的一侧安装有第二活塞轴,所述第二活塞轴远离第二活塞的一侧安装有第三活塞,所述第三活塞远离第二活塞轴的一侧安装有第三活塞轴,所述第三活塞轴远离第三活塞的一侧通过防滑板安装座安装有防滑板,所述安装轴上端安装有蓄水箱,所述安装轴的一侧安装有第一活塞,所述第一活塞远离安装轴的一侧安装有第一活塞轴,所述第一活塞轴远离第一活塞的一端安装有增压泵,所述增压泵远离第一活塞轴的一侧通过出料管安装座安装有喷嘴安装轴,所述喷嘴安装轴上安装有喷头,所述喷头上设有多个喷嘴,所述喷嘴通过连通管与增压泵连通,所述增压泵通过传输管与蓄水箱连通。
进一步的,所述安装轴内设有滑槽,所述滑槽内设有滑轮,所述滑轮上安装有滑块,所述滑块上安装有第一活塞。
进一步的,所述第三活塞和防滑板安装座之间且在第三活塞轴的外周套接有弹簧。
进一步的,所述废料收集箱的上端且在出风通道的外周设有限位格栅。
进一步的,所述安装轴下端通过滚轮支架安装有滚轮。
与现有技术相比,本实用新型的技术方案具有以下有益效果:
1、通过电机驱动第二活塞轴在第二活塞上伸缩,实现了防滑板对单晶硅片的挤压实现对单晶硅片的限位固定,由蓄水箱经过传输管传输清洗液到增压泵,由增压泵实现将清洗液由喷头上的喷嘴喷出,喷出的清洗液对防滑板之间的单晶硅片进行清洗,清洗的结束后,由鼓风机产生的风经过出风通道排出,实现单晶硅片的干燥,有效提高了单晶硅片清洗的效率和质量。
2、通过在安装轴内滑槽,通过滑轮带动滑块带动第一活塞在竖直方向上滑动,实现了在对单晶硅片清洗的过程中,能够实现对喷头在竖直方向的调节,有效提高了单晶硅片的清洗效率和质量。
3、通过在第三活塞和防滑板安装座之间且在第三活塞轴的外周套接弹簧,使得通过防滑板对单晶硅片进行限位过程中,弹簧能够有效缓冲防滑板对单晶硅片挤压力的缓冲,有效避免了对单晶硅片的损坏。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





