[实用新型]电子图像采集装置有效

专利信息
申请号: 201821058973.0 申请日: 2018-07-05
公开(公告)号: CN208570608U 公开(公告)日: 2019-03-01
发明(设计)人: F·罗伊 申请(专利权)人: 意法半导体(克洛尔2)公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
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摘要:
搜索关键词: 电子图像采集 电连接网络 衬底晶片 电接触 晶片 像素 电子电路 介电层 外部 连接焊盘 延伸穿过 电连接
【说明书】:

本公开的实施例涉及电子图像采集装置。一种电子图像采集装置包括第一部分和第二部分。第一部分由衬底晶片形成,该衬底晶片在其一侧上设置有电子电路以及具有电连接网络和在外表面上的外部电接触的介电层。第二部分包括在光的作用下能够生成电信号的像素晶片、安装到像素晶片并设置有电子电路的衬底晶片以及具有电连接网络和外表面上的外部电接触的介电层。外表面和外部电接触彼此结合,以便将第一部分安装到第二部分。连接焊盘延伸穿过像素晶片中的孔,以与第二部分的电连接网络电连接。

技术领域

实用新型的实施例涉及能够采集图像的电子装置的领域。

背景技术

电子图像采集装置是一种可以采集图像的电子装置。然而,目前的电子图像采集装置在一个或多个方面仍然具有改进的空间。

实用新型内容

本实用新型的实施例的目的在于提供至少部分地现有技术的上述问题的电子图像采集装置。

在一些实施例中,一种电子图像采集装置包括:第一部分,包括:第一半导体衬底晶片,包括设置有集成电子电路的第一表面;和第一介电层,安装在所述第一半导体衬底晶片的所述第一表面上并且包括电连接网络,其中所述第一介电层的外表面包括第一电接触;和第二部分,包括:膜层,所述膜层包括被配置成响应于光而生成电信号的像素;第二半导体衬底晶片,包括设置有集成电子电路的第一表面、安装到所述膜层的所述第二半导体衬底晶片的第二表面;和第二介电层,安装在所述第二半导体衬底晶片的所述第一表面上并且包括电连接网络,其中所述第二介电层的外表面包括第二电接触;其中所述第一部分被安装到所述第二部分,使得设置有第一电接触和第二电接触的外表面结合在一起,并且所述第一电接触和所述第二电接触分别结合在一起;并且其中用于外部电连接的焊盘延伸穿过所述膜层中的孔,所述焊盘电链接到被包括在所述第二部分的所述第二介电层内的所述电连接网络。

在一些实施例中,所述第一部分和所述第二部分通过所述外表面的分子粘合和所述第一电接触和所述第二电接触的分子粘合而被组装在一起。

在一些实施例中,所述第二半导体衬底晶片和所述膜层通过分子粘附而被组装在一起。

在一些实施例中,所述孔位于所述第二部分的没有电子电路和像素的区域中。

在一些实施例中,所述第二半导体衬底晶片包括:第一部分和第二部分,其中所述第一部分和第二部分彼此绝缘,其中所述第一部分提供所述焊盘和被包括在所述第二介电层内的所述电连接网络之间的电连接;并且其中所述集成电子电路位于所述第二部分内。

在一些实施例中,所述第一部分是导电的并且与所述孔和所述焊盘的位置对准。

在一些实施例中,所述第一部分不包括任何集成电子电路。

在一些实施例中,所述第一部分包括具有由所述第二半导体衬底晶片形成的金属硅化物的至少一部分。

在一些实施例中,还包括用于使所述第一部分和第二部分彼此绝缘的沟槽隔离。

由此,提供了电子图像采集装置的改进方案。

附图说明

现在将通过由图1图示的非限制性示例来描述电子图像采集装置:

图1示出了电子图像采集装置的横截面图。

具体实施方式

图1图示了电子图像采集装置1,该装置包括结合在一起的第一部分2和第二部分3。

第一部分2包括由硅制成的半导体衬底晶片4,半导体衬底晶片4在一侧5上设置有集成电子电路6以及包括电连接网络8的介电层7。

介电层7具有与衬底晶片4相对的正面9,正面9上设置有电接触10。

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