[实用新型]电子图像采集装置有效
申请号: | 201821058973.0 | 申请日: | 2018-07-05 |
公开(公告)号: | CN208570608U | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
发明(设计)人: | F·罗伊 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(克洛尔2)公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子图像采集 电连接网络 衬底晶片 电接触 晶片 像素 电子电路 介电层 外部 连接焊盘 延伸穿过 电连接 | ||
本公开的实施例涉及电子图像采集装置。一种电子图像采集装置包括第一部分和第二部分。第一部分由衬底晶片形成,该衬底晶片在其一侧上设置有电子电路以及具有电连接网络和在外表面上的外部电接触的介电层。第二部分包括在光的作用下能够生成电信号的像素晶片、安装到像素晶片并设置有电子电路的衬底晶片以及具有电连接网络和外表面上的外部电接触的介电层。外表面和外部电接触彼此结合,以便将第一部分安装到第二部分。连接焊盘延伸穿过像素晶片中的孔,以与第二部分的电连接网络电连接。
技术领域
本实用新型的实施例涉及能够采集图像的电子装置的领域。
背景技术
电子图像采集装置是一种可以采集图像的电子装置。然而,目前的电子图像采集装置在一个或多个方面仍然具有改进的空间。
实用新型内容
本实用新型的实施例的目的在于提供至少部分地现有技术的上述问题的电子图像采集装置。
在一些实施例中,一种电子图像采集装置包括:第一部分,包括:第一半导体衬底晶片,包括设置有集成电子电路的第一表面;和第一介电层,安装在所述第一半导体衬底晶片的所述第一表面上并且包括电连接网络,其中所述第一介电层的外表面包括第一电接触;和第二部分,包括:膜层,所述膜层包括被配置成响应于光而生成电信号的像素;第二半导体衬底晶片,包括设置有集成电子电路的第一表面、安装到所述膜层的所述第二半导体衬底晶片的第二表面;和第二介电层,安装在所述第二半导体衬底晶片的所述第一表面上并且包括电连接网络,其中所述第二介电层的外表面包括第二电接触;其中所述第一部分被安装到所述第二部分,使得设置有第一电接触和第二电接触的外表面结合在一起,并且所述第一电接触和所述第二电接触分别结合在一起;并且其中用于外部电连接的焊盘延伸穿过所述膜层中的孔,所述焊盘电链接到被包括在所述第二部分的所述第二介电层内的所述电连接网络。
在一些实施例中,所述第一部分和所述第二部分通过所述外表面的分子粘合和所述第一电接触和所述第二电接触的分子粘合而被组装在一起。
在一些实施例中,所述第二半导体衬底晶片和所述膜层通过分子粘附而被组装在一起。
在一些实施例中,所述孔位于所述第二部分的没有电子电路和像素的区域中。
在一些实施例中,所述第二半导体衬底晶片包括:第一部分和第二部分,其中所述第一部分和第二部分彼此绝缘,其中所述第一部分提供所述焊盘和被包括在所述第二介电层内的所述电连接网络之间的电连接;并且其中所述集成电子电路位于所述第二部分内。
在一些实施例中,所述第一部分是导电的并且与所述孔和所述焊盘的位置对准。
在一些实施例中,所述第一部分不包括任何集成电子电路。
在一些实施例中,所述第一部分包括具有由所述第二半导体衬底晶片形成的金属硅化物的至少一部分。
在一些实施例中,还包括用于使所述第一部分和第二部分彼此绝缘的沟槽隔离。
由此,提供了电子图像采集装置的改进方案。
附图说明
现在将通过由图1图示的非限制性示例来描述电子图像采集装置:
图1示出了电子图像采集装置的横截面图。
具体实施方式
图1图示了电子图像采集装置1,该装置包括结合在一起的第一部分2和第二部分3。
第一部分2包括由硅制成的半导体衬底晶片4,半导体衬底晶片4在一侧5上设置有集成电子电路6以及包括电连接网络8的介电层7。
介电层7具有与衬底晶片4相对的正面9,正面9上设置有电接触10。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体(克洛尔2)公司,未经意法半导体(克洛尔2)公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的