[实用新型]图形化工艺光刻套准校正设备

说明书

本实用新型提供一种图形化工艺光刻套准校正设备，包括：用于依据光刻参数进行曝光显影的光刻装置；用于进行显影后套准检测的显影后套准检测装置；用于进行刻蚀以得到芯片图形的刻蚀装置；用于进行刻蚀后套准检测的刻蚀后套准检测装置；用于进行芯片图形检测的图形检测装置；第一补偿校正装置，与刻蚀后套准检测装置及图形检测装置相连接；第二补偿校正装置，与显影后套准检测装置相连接；光刻参数更新装置，与显影后套准检测装置及光刻装置相连接。本实用新型可以使得修正后的显影后套准数据与刻蚀后套准数据及芯片图形数据保持一致，显著增加套准工艺的精度，大大降低返工率，显著提高产出率及成品率。

技术领域

本实用新型属于集成电路技术领域，特别是涉及一种图形化工艺光刻套准校正设备。

背景技术

在现有技术的光刻工艺控制(lithography process control)一般采用自动工艺控制(Automated Process Control，APC)来避免套准误差(overlay error)。如图1所示，现有的图形化工艺光刻套准校正方法一般包括如下步骤：

1)进行曝光及显影的光刻工艺；

2)进行显影后套准检测，以获取显影后套准误差；

3)将显影后套准误差反馈，以更新光刻参数；

4)进行刻蚀工艺。

在上述步骤中，是在显影后套准检测后将显影后套准误差进行反馈更新光刻参数。DRAM(动态随机存取存储器)器件的最小规格为套准规格，随着工艺的进步发展，器件集成度逐渐增高，使得套准容限越来越小，尤其是在套准规格最小的浸润式设备中进行层工艺时会对于套准精度提出更高的要求。采用上述现有的方法，即使显影后套准控制的很精确，但由于机台及工艺的限制，显影后套准检测结果也不能完全精确反应后续刻蚀工艺后的芯片图形的状态，使得前后检测结果的一致性较差，从而显著增加返工率，导致产出率低下、成品率较低等问题。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种图形化工艺光刻套准校正设备，用于解决现有技术中的套准工艺存在的返工率高、产出率低下及成品率低等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种图形化工艺光刻套准校正设备制备方法，所述图形化工艺光刻套准校正方法包括如下步骤：

1)依据光刻参数进行曝光显影，以获取光刻图形；

2)依据所述光刻图形进行显影后套准检测，以获取显影后套准数据；

3)依据所述光刻图形进行刻蚀，以得到芯片图形，所述芯片图形包括刻蚀后套准图形；

4)对所述刻蚀后套准图形进行刻蚀后套准检测，以获取刻蚀后套准数据；

5)对所述芯片图形进行检测，以获取芯片图形数据；

6)进行第一补偿校正，包括将所述芯片图形数据与所述刻蚀后套准数据进行比较，并位移补偿所述刻蚀后套准数据；

7)进行第二补偿校正，包括将所述第一补偿校正后的所述刻蚀后套准数据与所述显影后套准数据进行比较，并位移补偿所述显影后套准数据；及，

8)依据所述第二补偿校正后的所述显影后套准数据更新所述光刻参数。

作为本实用新型的一种优选方案，步骤5)中，使用扫描电子显微镜对所述芯片图形进行检测。

作为本实用新型的一种优选方案，步骤5)与步骤6)之间还包括如下步骤：

于刻蚀所得结构上形成导电结构，对所述导电结构进行终检检测，以获取终检检测数据；及，

进行第三补偿校正，包括依据所述终检检测数据对所述芯片图形数据进行相关性校正；