[实用新型]一种单晶硅片退火冷却箱有效

专利信息
申请号: 201821057852.4 申请日: 2018-07-05
公开(公告)号: CN208379053U 公开(公告)日: 2019-01-15
发明(设计)人: 何翠翠;韩刚;孙鹏 申请(专利权)人: 锦州神工半导体股份有限公司
主分类号: C30B33/02 分类号: C30B33/02;C30B29/06
代理公司: 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 代理人: 李烨
地址: 121001 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 单晶硅片 进风装置 腔室 螺旋形支撑架 退火 冷却箱 载物架 冷却 室内 本实用新型 出风装置 快速冷却 伸缩装置 进料口 排出腔 前端面 承托 后移 室外 引入
【说明书】:

实用新型公开了一种单晶硅片退火冷却箱。包括:进风装置,用于将空气冷却并引入腔室内;腔室,其设置在所述进风装置的一侧,并与所述进风装置连接,在所述腔室内设有单晶硅片载物架,在所述腔室前端面设有进料口,腔室用于放置和固定待冷却的单晶硅片;以及出风装置,其与所述腔室连接,并位于所述进风装置的对侧,用于将空气排出腔室外;其中,所述单晶硅片载物架包括:螺旋形支撑架,用于承托待冷却的单晶硅片;伸缩装置,其与所述螺旋形支撑架连接,用于带动所述螺旋形支撑架前后移动本实用新型的有益效果是:能够快速冷却单晶硅片。

技术领域

本实用新型涉及单晶硅片制造领域,特别涉及一种单晶硅片退火冷却箱。

背景技术

单晶硅片是硅的单晶体,是一种具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质,是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999%,甚至达到99.9999999%以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。

在单晶硅片的处理过程有一步退火工艺,目的是将晶体中的氧施主效应去除,该现象让硅片出现电阻率虚高的现象,针对于此,必须要进行退火。针对于退火工艺进程中的一个冷却过程,以前都是直接放置在室外,用风扇进行冷却。这种冷却方式,受到环境限制很多,如果室温较高,降温的效果就不会很明显。

一种能够提高退火稳定性的硅片退火冷却箱成为解决问题的关键。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种单晶硅片退火冷却箱,能够快速冷却单晶硅片。

为实现上述目的,本实用新型采用如下技术方案,包括:

进风装置,用于将空气冷却并引入腔室内;

腔室,其设置在所述进风装置的一侧,并与所述进风装置连接,在所述腔室内设有单晶硅片载物架,在所述腔室前端面设有进料口,腔室用于放置和固定待冷却的单晶硅片;以及

出风装置,其与所述腔室连接,并位于所述进风装置的对侧,用于将空气排出腔室外;

其中,所述单晶硅片载物架包括:

螺旋形支撑架,用于承托待冷却的单晶硅片;

伸缩装置,其与所述螺旋形支撑架连接,用于带动所述螺旋形支撑架前后移动。

优选的是,所述螺旋形支撑架包括:

多圈螺旋圈体,其水平放置,能够间隔放置多片待冷却的单晶硅片;

弧形托板,其设置所述多圈螺旋圈体的下部,并与所述螺旋圈体相配合,用于承托冷却的单晶硅片;

其中,在所述弧形托板上设有多道用于放置单晶硅片的凹槽。

优选的是,所述伸缩装置包括:

滑槽,其设置在所述腔室的底面上;

滑块,其设置在所述弧形托板的下端,并与所述滑槽相匹配,滑动支撑所述弧形托板;

伸缩电机,其设置在所述腔室内位于所述滑槽的后方,伸缩电机输出轴与所述滑块连接,用于带动所述滑块在所述滑槽内轴向移动;

其中,在所述滑块与滑槽之间设有用于减少摩擦力的直线轴承。

优选的是,所述进风装置包括:

进风通道,其连接所述腔室;

进风机,其设置在所述进风通道的前端,用于将空气引入进风通道内;

冷冻机,其设置在所述进风通道的中部,用于降低空气的温度。

优选的是,所述出风装置包括:

排风通道,其连接所述腔室;

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