[实用新型]一种基质包架空地埋越冬栽培系统

说明书

本实用新型公开了一种基质包架空地埋越冬栽培系统，栽培系统包括基质沟槽，放置于基质沟槽内的基质包，基质沟槽的槽底部设有架空件，基质包架空放置于架空件上，所述基质沟槽的槽底部和所述基质包的底部之间形成储液层，所述储液层的液面高度低于所述基质包的架空高度，所述基质沟槽的敞开顶部覆盖有利于所述基质沟槽的内部接受太阳热辐射而升温的透光膜或透光板。与传统技术相比，本实用新型将基质包架空设置，防止沤根现象的发生。同时在基质沟槽上覆盖透光膜或透光板，储液层的积液白天受热升温，在夜间极端低温时，积液可释放热量，防止根系受低温障碍。栽培方法操作简单，并且可在冬天的时候促进植株的生长，果实发育周期缩短，化瓜率降低，栽培效益提高。

技术领域

本实用新型涉及一种栽培装置，特别是涉及一种基质包架空地埋越冬栽培系统及方法。

背景技术

在基质栽培中，基质温度对植株生长的影响很大，尤其在冬天，过低的环境温度对基质温度影响很大，往往低于根系适宜生长的温度，在很大程度上影响植株的生长和产量的形成。因此，创造适宜根系生长的温度是解决越冬栽培的技术关键。

传统的基质(越冬)栽培主要有两种，第一种方式是：将基质包直接放置于地表上，这样，在基质包直接裸露于外界环境，昼夜温差大，生长弱；第二种方式是：在地表上挖设基质沟槽，在基质沟槽的槽壁上覆上一层具有隔离或者保温作用的PPE板或者薄膜，基质通常直接填充于基质沟槽内，然后再在基质沟槽敞开的顶部覆盖一层薄膜，使得基质处于密闭环境内，避免裸露于外界环境，使得基质沟槽内的温度大于基质沟槽外的温度。此外，PPE板或者薄膜通常具有防水性，这样，当往基质滴加水和营养液时，基质沟槽的底部通常会形成积液，该积液可能造成沤根现象，此外，在相同低温环境下，积液会使得基质的温度相比于无积液(即空气中)的基质更低，根系缺氧，进而影响根系的生长速度，甚至造成根系受低温障碍。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种提高植株冬天的生长速度，且避免沤根的基质包架空地埋越冬栽培系统及方法。

为了达成上述目的，本实用新型的技术方案是：

一种基质包架空地埋越冬栽培系统，包括基质沟槽，放置于基质沟槽内的基质包，所述基质沟槽的槽壁上覆有保温膜或者保温板，所述基质沟槽的槽底部设有架空件，所述基质包架空放置于所述架空件上，所述基质包的架空高度为70-100mm，所述基质沟槽的槽底部和所述基质包的底部之间形成储液层，所述储液层的液面高度低于所述基质包的架空高度；

所述基质沟槽的敞开顶部覆盖有利于所述基质沟槽的内部接受太阳热辐射而升温的透光膜或透光板。

进一步地，所述架空件包括两根木棍，两根所述木棍分别沿所述基质沟槽的长度方向设置，且两根木棍沿所述基质沟槽的宽度方向并排且相间设置，所述基质包跨设于两根所述木棍之上，所述木棍的直径为70-100mm。

进一步地，所述基质沟槽内设有位于所述基质包上方的水肥一体化滴灌装置，所述水肥一体化滴灌装置具有复数个出液滴头，所述出液滴头与所述基质包一一对应设置。

进一步地，所述基质包内插设有EC值传感器，并且该EC值传感器位于根系周围。

进一步地，所述基质沟槽的宽度为600mm，深度为350mm；所述基质包的长宽高相应为300*300*250mm。