[实用新型]集成金属氧化物半导体场效应晶体管器件

权利要求书

1.一种集成金属氧化物半导体场效应晶体管器件，其特征在于，包括：

具有第一导电类型的碳化硅的本体，具有第一表面和第二表面；

具有第二导电类型的第一本体区域，从所述第一表面延伸到所述本体中；

结型场效应晶体管JFET区域，与所述第一本体区域相邻且面向所述第一表面；

具有所述第一导电类型的第一源极区域，从所述第一表面延伸到所述第一本体区域中；

隔离栅极结构，在所述第一表面上方延伸并且部分地位于所述第一本体区域、所述第一源极区域和所述JFET区域上方；

具有所述第二导电类型的注入结构，从所述第一表面延伸到所述JFET区域中；和

在所述第一表面上方延伸的第一金属化层，所述第一金属化层与所述注入结构以及所述JFET区域直接接触并形成包括所述注入结构和所述JFET区域的结-势垒肖特基(JBS)二极管。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括在所述本体的所述第二表面上延伸的第二金属化层。

3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括：

具有所述第二导电类型的第二本体区域，从所述第一表面延伸到所述本体中，所述JFET区域设置在所述第一本体区域和所述第二本体区域之间；

具有所述第一导电类型的第二源极区域，从所述第一表面延伸到所述第二本体区域中；

所述隔离栅极结构包括第一隔离栅极区域和第二隔离栅极区域，所述第一隔离栅极区域部分地位于所述第一本体区域、所述第一源极区域和所述JFET区域上方，所述第二隔离栅极区域部分位于所述第二本体区域、所述第二源极区域和所述JFET区域上方，所述第一隔离栅极区域和所述第二隔离栅极区域通过间隙彼此分离，所述间隙具有在第一方向上的宽度并且位于所述JFET区域的一部分上方，设置在所述间隙下方的所述JFET区域的所述一部分容纳所述注入结构。

4.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，还包括：

具有所述第二导电类型的第一富集区域，从所述第一表面延伸到所述第一源极区域中；

具有所述第二导电类型的第二富集区域，从所述第一表面延伸到所述第二源极区域中，所述第一富集区域和所述第二富集区域在与所述第一方向横切的第二方向上相互偏移。

5.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述注入结构包括由所述JFET区域的中间部分相互分离的多个注入区域，所述第一金属化层与所述注入区域形成欧姆接触以及与所述中间部分形成肖特基接触。

6.根据权利要求5所述的器件，其特征在于，与所述间隙的宽度相比，所述注入区域在所述第一方向上具有更大的延伸，并且所述注入区域被所述第一隔离栅极区域和所述第二隔离栅极区域部分地覆盖。

7.根据权利要求5所述的器件，其特征在于，与所述间隙的宽度相比，所述注入区域在所述第一方向上具有较短的延伸，并且所述注入区域界定所述JFET区域的未被所述隔离栅极区域覆盖的横向部分，所述第一金属化层与所述横向部分形成进一步的肖特基接触。

8.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述注入结构包括在与所述第一方向横切的第二方向上纵向延伸的条状区域。

9.根据权利要求8所述的器件，其特征在于，与所述间隙的宽度相比，所述条状区域在所述第一方向上具有较短的延伸，并且所述条状区域界定所述JFET区域的未被所述隔离栅极区域覆盖的横向部分，所述第一金属层与所述条状区域形成欧姆接触并与所述横向部分形成肖特基接触。