[实用新型]一种自适应副边同步整流的控制装置及能量变换器有效

专利信息
申请号: 201821009311.4 申请日: 2018-06-27
公开(公告)号: CN208522656U 公开(公告)日: 2019-02-19
发明(设计)人: 彭韶华;陈超;汪虎;谢宜忠 申请(专利权)人: 上海新进半导体制造有限公司;上海新进芯微电子有限公司
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 罗满
地址: 200241 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 关断 续流 检测器 能量变换器 断点电流 关断信号 控制装置 同步整流 自适应 副边 动态平衡调整 能量变换效率 延迟调整电路 本实用新型 二极管导通 闭合 动态控制 关断电压 漏源电压 时间控制 阈值时 检测 漏极 预设 源极 体内 申请
【说明书】:

实用新型公开了一种自适应副边同步整流的控制装置及能量变换器,包括:用于当检测到SR MOS的漏极和源极之间的漏源电压达到预设关断电压阈值时,生成关断信号的关断检测器;用于当检测到SR MOS体内的二极管导通续流时,生成续流信号的续流检测器;延迟调整电路,用于若接收到续流信号,则在SR MOS闭合的下一周期中延后关断时间,若未接收到续流信号,则在下一周期中提前关断时间,使关断检测器在下一周期生成关断信号后,基于该周期的关断时间控制SR MOS关断,以实现动态平衡调整。可见,本申请可以动态控制SR MOS的关断点电流,并自动调整到最合理的关断点电流,从而提高能量变换效率且保护SR MOS。

技术领域

本实用新型涉及能量变换技术领域,特别是涉及一种自适应副边同步整流的控制装置及能量变换器。

背景技术

目前,由于反激式能量变换器具有电路结构简单及成本低廉等优点,被广泛应用于各种电源适配器。请参照图1,图1为现有技术中的一种反激式能量变换器的结构示意图。现有技术中,反激式能量变换器的输入电压Vdc由交流电源整流滤波后提供。当原边控制器控制开关Q闭合后,能量被储存在变压器中,此时副边控制器保持SR(synchronousrectification,同步整流)MOS(metal oxide semiconductor,金属-氧化物-半导体)关断,负载Rload所需的能量暂时由电容c提供;当原边控制器控制开关Q关断时,副边控制器控制SR MOS闭合,此时变压器中的能量转移至负载Rload,副边控制器会持续检测SR MOS的漏极和源极之间的漏源电压Vds,当其高于预设电压阈值(如-10mV)时,控制SR MOS关断。且反激式能量变换器会循环实现开关Q闭合(SR MOS关断)、开关Q关断(SR MOS闭合)的周期性过程。

但是,副边控制器控制SR MOS关断时,副边线圈上的电流还未跌落至0A,所以从SRMOS关断到副边线圈上的电流为0A的时间段内,SR MOS体内的二极管会导通续流,二极管的压降较大,从而降低能量变换效率;并且,SR MOS关断所选的阈值电压比较受限,若过负,则会导致SR MOS太提前关断,效率损失严重,若过于接近0,则可能会导致负电流关断,即副边线圈出现倒灌电流,从而使SR MOS的漏极激起高电压以致其损坏。

因此,如何提供一种解决上述技术问题的方案是本领域的技术人员目前需要解决的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种自适应副边同步整流的控制装置及能量变换器,可以动态控制SR MOS的关断点电流,并自动调整到最合理的关断点电流,即若SR MOS关早,则在下一周期中延后关断时间,从而提高能量变换效率;若SR MOS关晚,则在下一周期中提前关断时间,从而保护SR MOS。

为解决上述技术问题,本实用新型提供了一种自适应副边同步整流的控制装置,应用于能量变换器,包括:

用于当检测到副边的同步整流SR MOS的漏极和源极之间的漏源电压达到预设关断电压阈值时,生成关断信号的关断检测器;

用于当检测到所述SR MOS体内的二极管导通续流时,生成续流信号的续流检测器;

第一输入端与所述关断检测器的输出端连接、第二输入端与所述续流检测器的输出端连接、输出端与所述SR MOS连接的延迟调整电路,用于若接收到所述续流信号,则在所述SR MOS闭合的下一周期中延后关断时间,若未接收到所述续流信号,则在所述下一周期中提前关断时间,以便于所述关断检测器在所述下一周期生成关断信号后,基于该周期的关断时间控制所述SR MOS关断,以实现动态平衡调整。

优选地,所述关断检测器具体为:

输入正端输入所述漏源电压、输入负端输入所述预设关断电压阈值的第一比较器。

优选地,所述续流检测器包括:

用于分别对所述漏源电压及预设续流电压阈值取绝对值的绝对值模块;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新进半导体制造有限公司;上海新进芯微电子有限公司,未经上海新进半导体制造有限公司;上海新进芯微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821009311.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top