[实用新型]一种低功耗高线性双模式毫米波宽带堆叠低噪声放大器有效

专利信息
申请号: 201821008465.1 申请日: 2018-06-27
公开(公告)号: CN208353298U 公开(公告)日: 2019-01-08
发明(设计)人: 邬海峰;滑育楠;陈依军;胡柳林;吕继平;童伟;王测天 申请(专利权)人: 成都嘉纳海威科技有限责任公司
主分类号: H03F3/193 分类号: H03F3/193;H03F3/68
代理公司: 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 代理人: 李林合
地址: 610016 四川省成都市*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 低功耗 堆叠 低噪声放大器 本实用新型 毫米波宽带 高线性度 高线性 双模式 低噪声放大 堆叠结构 工作频带 技术实现 偏置网络 双模切换 噪声匹配 驻波特性 阻抗匹配 反馈 超宽带 自偏置 晶体管 宽带 双模 串联 电路 放大 网络
【权利要求书】:

1.一种低功耗高线性双模式毫米波宽带堆叠低噪声放大器,其特征在于,包括二堆叠自偏低噪声放大网络、反馈双模高线性度放大网络以及偏置网络;

所述二堆叠自偏低噪声放大网络的输入端为整个所述低噪声放大器的输入端,其输出端与反馈双模高线性度放大网络的输入端连接;

所述反馈双模高线性度放大网络的输出端为整个所述低噪声放大器的输出端;

所述偏置网络分别与二堆叠自偏低噪声放大网络以及反馈双模高线性度放大网络连接;

所述反馈双模高线性度放大网络还与地连接。

2.根据权利要求1所述的低功耗高线性双模式毫米波宽带堆叠低噪声放大器,其特征在于,所述二堆叠自偏低噪声放大网络包括按照源极-漏极相连堆叠构成的顶层晶体管Md2和底层晶体管Md1;所述顶层晶体管Md2和底层晶体管Md1尺寸不同;

所述底层晶体管Md1的源极通过微带线TL5与正电压自偏RC电路的一端连接,所述正电压自偏RC电路的另一端接地;

所述底层晶体管Md1的栅极依次串联微带线TL4、微带线TL2以及隔直电容C1后作为二堆叠自偏低噪声放大网络的输入端,所述微带线TL2和隔直电容C1的连接节点上还连接有开路微带线TL1,所述微带线TL4和微带线TL2的连接节点还通过微带线TL3与第一零电压控制RC电路的一端连接,所述第一零电压控制RC电路的另一端接地;

所述底层晶体管Md1的漏极通过微带线TL6与顶层晶体管Md2的源极连接;

所述顶层晶体管Md2的栅极分别与偏置网络以及栅极补偿电路连接,其漏极连接微带线TL7的一端,所述微带线TL7的另一端为二堆叠自偏低噪声放大网络的输出端,所述二堆叠自偏低噪声放大网络的输出端还通过微带线TL8与偏置网络连接;

所述正电压自偏RC电路包括并联的电阻R2和电容C3,所述第一零电压控制RC电路包括并联的电阻R1和电容C2,所述栅极补偿电路包括串联的栅极稳定电阻R3和补偿接地电容C4

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