[实用新型]一种复合膜换能器

说明书

本实用新型公开了一种复合膜换能器，包括低频单元和设置于低频单元内的高频单元，所述低频单元包括复合膜和结合于复合膜下部的线圈框体，所述线圈框体为中空结构，所述线圈框体外套接有音圈，所述高频单元为舌簧式换能器，所述舌簧式换能器顶部深入线圈框体内部，本实用新型中通过复合膜的设置，其中中面积振膜可以加固低频振膜降低音盆振裂现象，并能优化中频段丰满度，小面积振膜能进一步加固低频振膜，并且能使音圈一震动时不产生变形，始终保持低失真功效度，本实用新型以复合膜为主体，复合膜发生音盆能有效解决盆裂效应导致的目标失真，且舌簧式换能器能发出高频，集复合膜与高频单元于一体，能有效消除交叉失真及相位失真。

技术领域

本实用新型涉及换能器技术领域，具体是指一种复合膜换能器。

背景技术

换能器，是指电能和声能相互转换的器件，现有技术中电声换能器包括振动系统，磁路系统，收容固定所述振动系统与所述磁路系统的壳体，但是，现有的换能器容易产生音盆振裂现象及音频漂移现象，出现交叉失真及相位失真现象，影响换能器的使用，因此，设计一种能解决音盆振裂及失真现象的换能器是相关领域技术人员急需解决的问题。

实用新型内容

为解决上述技术问题，本实用新型提供的技术方案为：一种复合膜换能器，包括低频单元和设置于低频单元内的高频单元，所述低频单元包括复合膜和结合于复合膜下部的线圈框体，所述线圈框体为中空结构，所述线圈框体外套接有音圈，所述线圈框体内侧设有永磁框体，所述高频单元为舌簧式换能器，所述舌簧式换能器顶部深入永磁框体内部。

作为改进，所述舌簧式换能器的下限频率截止为2000赫兹。

作为改进，所述复合膜包括与线圈框体顶部结合的低频振膜、设置于低频振膜外侧的中面积振膜和设置于中面积振膜外的小面积振膜，所述中面积振膜、小面积振膜均与线圈框体上部连接。

作为改进，所述低频振膜包括中心的球顶部和设于球顶部外侧的折环部，所述线圈框体结合于球顶部与折环部的连接处。

作为改进，所述低频振膜、中面积振膜、小面积振膜的面积依次减小，所述中面积振膜的面积为低频振膜的1/2。

作为改进，所述音圈为扁形结构，所述音圈由纯铜线制成。

采用以上结构后，本实用新型具有如下优点：信号输入音圈，产生磁场，磁场互感带动线圈框体，推动复合膜震动，产生声波；一方面，本实用新型中通过复合膜的设置，其中中面积振膜可以加固低频振膜降低音盆振裂现象，并能优化中频段丰满度，小面积振膜能进一步加固低频振膜，并且能使音圈一震动时不产生变形，始终保持低失真功效度。另一方面，本实用新型以复合膜为主体，复合膜发生音盆能有效解决盆裂效应导致的目标失真，且舌簧式换能器能发出高频，集复合膜与高频单元于一体，能有效消除交叉失真及相位失真。

附图说明

图1是本实用新型一种复合膜换能器的拆分结构示意图。

图2是本实用新型一种复合膜换能器的组合结构示意图。

如图所示：1、低频单元，1.1、复合膜，1.1a、低频振膜，1.1a1、球顶部，1.1a2、折环部，1.1b、中面积振膜，1.1c、小面积振膜，1.2、线圈框体，1.3、音圈，1.4、永磁框体，2、高频单元，2.1、舌簧式换能器。

具体实施方式

结合附图1～2，一种复合膜换能器，包括低频单元1和设置于低频单元1内的高频单元2，所述低频单元1包括复合膜1.1和结合于复合膜1.1下部的线圈框体1.2，所述线圈框体1.2为中空结构，所述线圈框体1.2外套接有音圈1.3，所述线圈框体1.2内侧设有永磁框体1.4，所述高频单元2为舌簧式换能器2.1，所述舌簧式换能器2.1顶部深入永磁框体1.4内部。

作为本实施例较佳实施方案的是，所述舌簧式换能器2.1的下限频率截止为2000赫兹。