[实用新型]一种使用卡榫固定上盖与承载盘本体的装置有效
申请号: | 201821003058.1 | 申请日: | 2018-06-27 |
公开(公告)号: | CN208271850U | 公开(公告)日: | 2018-12-21 |
发明(设计)人: | 黄荣龙;陈滢如 | 申请(专利权)人: | 安徽宏实自动化装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/68 |
代理公司: | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人: | 胡剑辉 |
地址: | 230001 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 承载盘 孔洞 卡榫 磁铁 上盖 适配 本实用新型 晶粒 固定上盖 两端对称 矩形阵列分布 凹槽配合 取放方便 盖合 卡合 吸合 圆珠 不锈钢 配合 | ||
本实用新型公开了一种使用卡榫固定上盖与承载盘本体的装置,包括承载盘本体和与承载盘本体相适配的上盖,承载盘本体上矩形阵列分布有晶粒,承载盘本体长度方向的两端对称设有第一卡榫,宽度方向的两端对称设有第二卡榫;上盖的底部设有与第一卡榫适配的第一凹槽以及与第二卡榫适配的第二凹槽;上盖底部的四个角均设有第一孔洞,第一孔洞的顶部设有第一磁铁,第一磁铁的底部设有卡合在第一孔洞内的不锈钢圆珠;承载盘本体的四个角设有与第一孔洞对应的第二孔洞,第二孔洞的底部设有第二磁铁。本实用新型通过卡榫和凹槽配合的结构,配合磁铁的吸合,上盖与承载盘本体盖合紧密,取放方便,防止了晶粒的显著位移。
技术领域
本实用新型涉及半导体湿式制程设备领域,具体涉及一种使用卡榫固定上盖与承载盘本体的装置。
背景技术
晶粒在封装切割后若须再进行湿式制程处理,只能单颗单颗进行,无法自动化批量处理,不但耗时费工且品质良率不佳。因此,对于需要大量批次处理的晶粒,目前通常采用的手段是在承载盘的上部加设上盖,再将承载盘转移至特定载具进行化学微蚀刻。但是,现有的上盖只是加盖在承载盘上,缺乏对晶粒的固定结构,使得承载盘的固定不够紧密,晶粒容易发生位移,造成转移或蚀刻过程中晶粒的良率较低。因此,需要对上盖与承载盘的固定结构加以改进,防止晶粒的显著位移。
实用新型内容
为了解决上述的技术问题,本实用新型的目的在于提供一种使用卡榫固定上盖与承载盘本体的装置,通过卡榫和凹槽配合的结构,配合磁铁的吸合,上盖与承载盘本体盖合紧密,取放方便,防止了晶粒的显著位移。
本实用新型的目的可以通过以下技术方案实现:
一种使用卡榫固定上盖与承载盘本体的装置,包括承载盘本体和与承载盘本体相适配的上盖,承载盘本体上矩形阵列分布有晶粒,所述承载盘本体长度方向的两端对称设有第一卡榫,宽度方向的两端对称设有第二卡榫;上盖的底部设有与第一卡榫适配的第一凹槽以及与第二卡榫适配的第二凹槽;
所述上盖底部的四个角均设有第一孔洞,第一孔洞的顶部设有第一磁铁,第一磁铁的底部设有卡合在第一孔洞内的不锈钢圆珠;
所述承载盘本体的四个角设有与第一孔洞对应的第二孔洞,第二孔洞的底部设有第二磁铁。
作为本实用新型进一步的方案,所述第一卡榫与第一凹槽间隙配合,所述第二卡榫与第二凹槽间隙配合。
作为本实用新型进一步的方案,所述第一孔洞的深度大于第二孔洞的深度。
作为本实用新型进一步的方案,所述第一孔洞的直径为5-10mm,不锈钢圆珠的直径比第一孔洞小1-2mm。
作为本实用新型进一步的方案,所述上盖上平行设置有用于对晶粒限位的限位板,限位板之间设有限位槽。
本实用新型的有益效果:
1、本实用新型的使用卡榫固定上盖与承载盘本体的装置,安装时通过第一卡榫与第一凹槽卡合,第二卡榫与第二凹槽卡合,同时在盖合时第一磁铁和第二磁铁对不锈钢圆珠的吸合,使得上盖与承载盘本体盖合紧密,矩形阵列分布的晶粒得到限位,上盖与承载盘本体取放方便,防止了晶粒的显著位移。
2、第一孔洞的直径大于不锈钢圆珠的直径,使得不锈钢圆珠容置在第一孔洞内不会掉落,通过在上盖与承载盘本体盖合时第一磁铁和第二磁铁同时对不锈钢圆珠进行吸合,使得上盖与承载盘本体固定更加紧密,取出上盖时只需轻轻拔出,使不锈钢圆珠与第一磁铁吸合。
附图说明
下面结合附图对本实用新型作进一步的说明。
图1是本实用新型上盖与承载盘本体未装配时结构示意图。
图2是本实用新型上盖的俯视图。
图3是本实用新型上盖的仰视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造