[实用新型]一种晶圆位置侦测系统有效

专利信息
申请号: 201820998899.4 申请日: 2018-06-26
公开(公告)号: CN208478299U 公开(公告)日: 2019-02-05
发明(设计)人: 阚保国;刘家桦;叶日铨 申请(专利权)人: 德淮半导体有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/68
代理公司: 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 代理人: 王宏婧
地址: 223300 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 晶圆 静电吸盘 探测装置 偏移 边缘环 位置侦测系统 本实用新型 探测 承载空间 种晶 半导体工艺 受损 发生位置 经济损失 区域性 良率 报警 传递 加工
【说明书】:

实用新型提供了一种晶圆位置侦测系统,包括:静电吸盘、边缘环以及探测装置;所述边缘环设置于所述静电吸盘上以限定出一承载空间,所述探测装置设置于所述边缘环外侧,探测待加工晶圆是否恰好传递至所述承载空间中。在半导体工艺中,晶圆需要被放置到静电吸盘上进行作业,晶圆放置到所述静电吸盘上时位置容易发生偏移,造成晶圆产生区域性缺陷。本实用新型中通过采用所述探测装置探测所述晶圆在所述静电吸盘上的位置,能及时探测所述晶圆的位置是否发生偏移,若发生位置偏移,则所述探测装置会及时报警并停止作业,避免后续晶圆继续偏移,继续受损;从而提高了产品的良率,降低了由于晶圆受损带来的经济损失。

技术领域

本实用新型涉及半导体领域,特别涉及一种晶圆位置侦测系统。

背景技术

现有技术中,半导体设备传送路径的侦测系统只能侦测到进腔体之前的位置偏移并矫正,对于腔体内的位置无法侦测,存在关键区域的侦测盲区,因此存在较大的风险。

当晶圆在侦测盲区内位置发生偏移,并放置到静电吸盘上,如果位置偏移过大,晶圆搭在边缘环上,会触发背氦系统报警;但是如果在位置偏移不是很大的情况下,晶圆在放置到所述静电吸盘表面的过程中,会造成晶圆产生区域缺陷,在产品缺陷扫描之前,由于没有相关报警讯息和参数变化信息,腔体还会继续跑货,造成大量产品良率降低甚至报废。

因此,急需提供一种晶圆位置侦测系统,以解决现有技术中被侦测晶圆位置发生偏移,造成大量产品良率偏低甚至报废的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种晶圆位置侦测系统,以解决现有技术中被侦测晶圆位置发生偏移,造成大量产品良率偏低甚至报废的问题。

为了解决现有技术中存在的问题,本实用新型提供了一种晶圆位置侦测系统,包括:静电吸盘、边缘环以及探测装置;所述边缘环设置于所述静电吸盘上以限定出一承载空间,所述探测装置设置于所述边缘环外侧,探测待加工晶圆是否恰好传递至所述承载空间中。

可选的,在所述晶圆位置侦测系统中,所述探测装置的探测方向与所述承载空间的最边缘相切。

可选的,在所述晶圆位置侦测系统中,所述晶圆位置侦测系统包括腔体,所述探测装置设置在所述腔体的内壁上。

可选的,在所述晶圆位置侦测系统中,所述探测装置的数量为多个,并均匀分布。

可选的,在所述晶圆位置侦测系统中,所述探测装置的位置高于所述边缘环的上表面。

可选的,在所述晶圆位置侦测系统中,所述探测装置包括蓝宝石材质红外探测装置。

可选的,在所述晶圆位置侦测系统中,所述静电吸盘包括底座和支撑部,所述支撑部设置在所述底座上,所述边缘环套设在所述支撑部并与所述底座相接触,所述边缘环的高度大于所述支撑部的高度。

可选的,在所述晶圆位置侦测系统中,所述边缘环内侧呈一环形台阶状,包括一侧面和一台阶面,所述侧面与所述台阶面远离所述支撑部的一侧相交并远离所述底座,所述台阶面低于或齐平于所述支撑部的顶面。

可选的,在所述晶圆位置侦测系统中,所述探测装置上设置有报警装置。

可选的,在所述晶圆位置侦测系统中,所述腔体包括半导体反应腔体。

在本实用新型所提供的晶圆位置侦测系统中,所述晶圆位置侦测系统包括:静电吸盘、边缘环以及探测装置;所述边缘环设置于所述静电吸盘上以限定出一承载空间,所述探测装置设置于所述边缘环外侧,探测待加工晶圆是否恰好传递至所述承载空间中。

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