[实用新型]一种上电复位电路、芯片及智能门锁

权利要求书

1.一种上电复位电路，其特征在于，所述上电复位电路包括：

电压检测电路、施密特反相电路、第一反相电路；所述电压检测电路、所述施密特反相电路、所述第一反相电路与电源VDD连接，以接收所述电源VDD提供的上电电压；

所述电压检测电路的输出端与所述施密特反相电路的输入端连接，用于在检测到所述上电电压时，为所述施密特反相电路提供输入电压；

所述施密特反相电路的输出端与所述电压检测电路的输入端连接，用于在所述输入电压达到所述施密特反相电路的阈值翻转电压后，将所述施密特反相电路的输出端的电压进行翻转，并通过翻转后的电压断开所述电压检测电路的电流回路；

所述第一反相电路的输入端，与所述施密特反相电路的输出端连接，用于将所述施密特反相电路输出的电压进行翻转后传输至所述第一反相电路的输出端；

所述第一反相电路的输出端为复位信号端。

2.根据权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，所述电压检测电路包括：

电压偏置单元、复位阻断单元、一级充电单元、二级充电单元；

所述电压偏置单元的第一端、所述一级充电单元的第一端、所述二级充电单元的第一端均与所述电源VDD连接，以接收所述电源VDD提供的上电电压；

所述一级充电单元的第二端与所述电压偏置单元的第二端连接，以接收所述电压偏置单元提供的第一偏置电压，通过所述第一偏置电压控制所述一级充电单元的导通和关断；

所述一级充电单元的第三端与所述二级充电单元的第二端连接，以作为所述电压检测电路的输出端，用于在所述施密特反相电路的输出端的电压翻转前，由所述一级充电单元通过所述电压检测电路的输出端为所述施密特反相电路提供充电电压，在所述施密特反相电路的输出端的电平翻转后，由所述二级充电单元通过所述电压检测电路的输出端为所述施密特反相电路提供充电电压；

所述复位阻断单元的第一端与所述电压偏置单元的第三端连接，以接收所述电压偏置单元提供的第二偏置电压，通过所述第二偏置电压控制所述复位阻断单元的导通和关断；

所述复位阻断单元的第二端与所述二级充电单元的第三端均与所述施密特反相电路的输出端连接，所述复位阻断单元的第三端与接地线VSS连接，用于在所述施密特反相电路的输出端的电平翻转后，阻断所述电压检测电路中的电流回路，且通过所述二级充电单元为所述施密特反相电路提供充电电压。

3.根据权利要求2所述的上电复位电路，其特征在于，所述电压偏置单元包括：PMOS晶体管PM6、NMOS晶体管NM5；所述复位阻断单元包括：NMOS晶体管NM4；所述一级充电单元包括：PMOS晶体管PM5；所述二级充电单元包括PMOS晶体管PM4；其中，

所述PM4的源极、所述PM5的源极和所述PM6的源极分别连接所述电源VDD；

所述PM4的漏极与所述PM5的漏极连接，以作为所述电压检测电路的输出端；

所述PM4的栅极与所述NM4的栅极连接，以作为所述电压检测电路的输入端；

所述PM5的栅极、所述PM6的漏极、所述PM6的栅极、所述NM5的源极及所述NM5的栅极连接；

所述NM5的漏极与所述NM4的源极连接；

所述NM4的漏极与接地线VSS连接。

4.根据权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，所述施密特反相电路包括：

PMOS晶体管PM1、PM2、PM3；NMOS晶体管NM1、NM2、NM3；其中，

所述PM1的栅极、所述PM2的栅极、所述NM1的栅极和所述NM2的栅极连接，以作为所述施密特反相电路的输入端；

所述PM1的源极和所述NM3的源极均与所述VDD连接；

所述PM1的漏极、所述PM2的源极、及所述PM3的源极连接；

所述PM2的漏极、所述NM2的源极、所述PM3的栅极、及所述NM3的栅极连接，以作为所述施密特反相电路的输出端；

所述NM2的漏极、所述NM1的源极、及所述NM3的漏极连接；

所述NM1的漏极和所述PM3的漏极均与接地线VSS连接。