[实用新型]电容器及半导体存储器

说明书

本实用新型涉及一种电容器及半导体存储器，包括在衬底上设置绝缘层，绝缘层中设置存储节点接触塞；下电极经由电容支撑结构设置在存储节点接触塞上；电容支撑结构设置在绝缘层上，电容支撑结构中形成电容成型孔；电容支撑结构中形成有显露多个邻近的电容成型孔的电容开孔；下电极的端口显露于电容开孔中；上电极包括上电极填充物，上电极填充物填充在电容成型孔中；下电极显露于电容开孔内的端口高度平齐于电容支撑结构的顶部支撑层的上表面。本实用新型由于对电容支撑结构进行了改进，使得下电极在电容开孔内和电容开孔外的孔壁高度相等，且下电极显露于电容开孔内的端口高度平齐于电容支撑结构的顶部支撑层的上表面，因此增加了电极接触面积。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种电容器及半导体存储器。

背景技术

由于半导体生产工艺越来越精密，半导体集成电路密度以及器件的运行速度大幅提高。如今集成电路组件的尺寸已从亚微米进入到纳米级的工艺领域。对于动态随机存取存储器来说，代表每单元电容截面积及电容间距越来越小。然而，由于终端应用软件的运算能力越发强大，因此对于内存容量的需要越来越大。

一般为了提高电容器的单位面积电容值增加电荷储存能力，常使用的方法有以下几种：增加介电材料的介电系数、减少介电层的厚度或增加电容器的电极接触面积等。但是，在微影工艺技术的范畴内，因为曝光分辨率的缘故或者光刻胶材料本身的特性，使光阻的图案线宽受到限制，此限制会连带影响到上述的增加电容器的电极接触面积方式的发展。另一方面，现有的电容结构存在一定的缺陷，在对电容支撑结构100上的掩膜层110的氮化物层111蚀刻时(如图1所示)，会同时蚀刻掉部分下电极层120，以便更好的蚀刻电容支撑结构110内部的介质氧化物130材料。但是这种情况会导致下电极层120的整体高度降低(如图2所示)，从而导致电容的接触面积减少。

在背景技术中公开的上述信息仅用于加强对本实用新型的背景的理解，因此其可能包含没有形成为本领域普通技术人员所知晓的现有技术的信息。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型实施例提供一种电容器及半导体存储器，以解决或缓解现有技术中存在的技术问题，至少提供一种有益的选择。

本实用新型实施例的技术方案是这样实现的：

根据本实用新型的第一方面提供一种电容器，包括：

衬底，所述衬底上设置绝缘层，所述绝缘层中间隔设置若干存储节点接触塞；

下电极，经由电容支撑结构间隔设置在所述存储节点接触塞上；所述电容支撑结构设置在所述绝缘层上，所述电容支撑结构中形成有若干电容成型孔，以配置所述下电极；所述电容支撑结构中形成有显露多个邻近的所述电容成型孔的电容开孔；所述下电极的端口显露于所述电容开孔中；以及

上电极，包括上电极填充物，所述上电极填充物填充在所述电容成型孔中，且经由所述电容开孔填充在所述电容支撑结构的内部和外部；

其中，所述下电极显露于所述电容开孔内的端口高度平齐于所述电容支撑结构的顶部支撑层的上表面。

在一些实施例中，还包括电容介质层，形成在所述下电极的表面以及所述电容支撑结构的各支撑层表面；

所述上电极还包括上电极层，所述上电极层覆盖在所述电容介质层的表面，所述上电极填充物与在所述上电极层表面接合。

在一些实施例中，所述电容介质层具有三层电介质结构，第一层电介质结构与所述下电极的表面及所述支撑层表面接合，所述第一层电介质结构的材料包含钛氧化物；第二层电介质结构设置于所述第一层电介质结构上，所述第二层电介质结构的材料包含氧化铝；第三层电介质结构设置于所述第二层电介质结构上，所述第三层电介质结构的材料包含锆氧化物。

在一些实施例中，所述电容介质层的厚度不大于10nm，且所述第二层电介质结构的厚度介于1-2nm。