[实用新型]一种低噪声且抗高地弹噪声的输出驱动电路有效
申请号: | 201820979598.7 | 申请日: | 2018-06-25 |
公开(公告)号: | CN208424337U | 公开(公告)日: | 2019-01-22 |
发明(设计)人: | 杨秋平 | 申请(专利权)人: | 珠海市一微半导体有限公司 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185;H03K19/003 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 519000 广东省珠海*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 驱动模块 输入节点 输出驱动电路 输出驱动 高地 电阻 本实用新型 地弹噪声 噪声效应 低噪声 噪声 动态调节 动态调整 动态信号 静态驱动 静态信号 输出电阻 电路 | ||
1.一种低噪声且抗高地弹噪声的输出驱动电路,包括以数据输出端和使能输出端为输入的预驱动模块、PMOS输入节点、与PMOS输入节点相连的PMOS公共节点、NMOS输入节点、与NMOS输入节点相连的NMOS公共节点、输出节点、接地端和供电电压端;其中,所述预驱动模块包括第一反相器和第二反相器;其特征在于,所述输出驱动电路还包括PMOS驱动模块和NMOS驱动模块;
所述PMOS驱动模块与所述预驱动模块连接于所述PMOS输入节点,使得所述PMOS输入节点输入动态信号时通过动态调节PMOS驱动模块的输出驱动电阻来降低地弹噪声,所述PMOS输入节点输入静态信号时通过提高输出驱动电阻增强抗高地弹噪声效应;
所述NMOS驱动模块与所述预驱动模块连接于所述NMOS输入节点,使得所述NMOS输入节点输入动态信号时通过动态调节NMOS驱动模块的输出驱动电阻来降低地弹噪声,所述NMOS输入节点输入静态信号时通过提高输出驱动电阻增强抗高地弹噪声效应;
其中,所述PMOS驱动模块和所述NMOS驱动模块连接于所述输出节点;所述动态信号为存在电平翻转的信号,所述静态信号为不出现电平翻转的信号。
2.根据权利要求1所述输出驱动电路,其特征在于,所述PMOS驱动模块中包括预设数量的下降沿延时控制子模块和分为预设组数的PMOS管;第一组PMOS管的栅极都与所述第一反相器的输出端连接于所述PMOS输入节点,而其余各组PMOS管都通过其栅极对应连接一个下降沿延时控制子模块的输出端,预设数量的下降沿延时控制子模块的输入端都连接到所述PMOS公共节点,使得在所述PMOS公共节点输入动态信号时,所述下降沿延时控制子模块通过控制各组PMOS管的导通时间来调节PMOS驱动模块的输出驱动电阻来减小电流的变化率,从而降低地弹噪声;在所述PMOS公共节点输入静态信号时,所述下降沿延时控制子模块通过关断各组PMOS管来增大PMOS驱动模块的输出驱动电阻以增强抗高地弹噪声的效应;
所述NMOS驱动模块中包括预设数量的上升沿延时控制子模块和分为预设组数的NMOS管;第一组NMOS管的栅极都与所述第二反相器的输出端连接于所述NMOS输入节点,而其余各组NMOS管都通过其栅极对应连接一个上升沿延时控制子模块的输出端,预设数量的上升沿延时控制子模块的输入端都连接到所述NMOS公共节点,使得在所述NMOS公共节点输入动态信号时,所述下降沿延时控制子模块通过控制各组NMOS管的导通时间来调节NMOS驱动模块的输出驱动电阻来来减小电流的变化率,从而降低地弹噪声;在所述NMOS公共节点输入静态信号时,所述下降沿延时控制子模块通过关断各组NMOS管来增大NMOS驱动模块的输出驱动电阻以增强抗高地弹噪声的效应;
其中,所述预设数量等于所述预设组数减去一;所述其余各组PMOS管的每一组PMOS管对应一个所述下降沿延时控制子模块;所述其余各组NMOS管的每一组NMOS管对应一个所述上升沿延时控制子模块。
3.根据权利要求2所述输出驱动电路,其特征在于,所述PMOS驱动模块中包括分为预设组数的PMOS管,第一组PMOS管的数目比其余组PMOS管的数目小,使得所述数据输出端为高电平阶段的地弹噪声降低;
所述第一组NMOS管的数目比其余组NMOS管的数目小,使得所述数据输出端为低电平阶段的地弹噪声降低。
4.根据权利要求3所述输出驱动电路,其特征在于,所述PMOS驱动模块中所述分为预设组数的PMOS管的源极都连接到所述供电电压端,其漏极都连接到所述输出节点;
所述NMOS驱动模块中所述分为预设组数的NMOS管的漏极都连接到所述输出节点,其源极都连接到所述接地端。
5.根据权利要求2至权利要求4任一项所述输出驱动电路,其特征在于,所述预设组数的数值设置为3或大于3。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于珠海市一微半导体有限公司,未经珠海市一微半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820979598.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种基于模拟开关的电平选择电路
- 下一篇:DDR接收器用参考电平电路