[实用新型]椭圆可活动顶针结构有效
申请号: | 201820977682.5 | 申请日: | 2018-06-22 |
公开(公告)号: | CN208889635U | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
发明(设计)人: | 黄浈;柳燕华 | 申请(专利权)人: | 江苏长电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人: | 赵海波;孙燕波 |
地址: | 214400 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 椭圆 可活动顶针 转轴 本实用新型 芯片 左右对称布置 椭圆圆环 良率 竖直 脱膜 治具 升降 破裂 局限 生产 | ||
本实用新型涉及一种椭圆可活动顶针结构,它包括基座(1),所述基座(1)上设置有可沿竖直方向升降的转轴,所述转轴上设置有多组椭圆平台(2),每组椭圆平台(2)有两个,两个椭圆平台(2)左右对称布置,所述转轴位于椭圆平台(2)的中心。本实用新型一种椭圆可活动顶针结构,它可以解决多步顶多圈治具设计带来的脱膜局限,适于多种尺寸的芯片,椭圆圆环可以降低芯片破裂的风险,提高生产良率。
技术领域
本实用新型涉及一种椭圆可活动顶针结构,属于半导体封装技术领域。
背景技术
目前针对超薄芯片(<100um),为了防止芯片破裂,装片多使用多步顶的治具进行芯片脱膜动作,但由于多步顶的顶针治具为多圈治具(如图1所示),其中图1(a)为整体顶起的示意图,初始状态,图1(b)为二部顶起示意图,图1(c)为中间顶起示意图,因此在不同芯片尺寸上需要使用不同的模块设计,通用性不佳。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种椭圆可活动顶针结构,它可以解决多步顶多圈治具设计带来的脱膜局限,适于多种尺寸的芯片,椭圆圆环可以降低芯片破裂的风险,提高生产良率。
本实用新型解决上述问题所采用的技术方案为:一种椭圆可活动顶针结构,它包括基座,所述基座上设置有可沿竖直方向升降的转轴,所述转轴上设置有多组椭圆平台,每组椭圆平台有两个,两个椭圆平台左右对称布置,所述转轴位于椭圆平台的中心。
所述椭圆平台采用椭圆环的形式。
所述椭圆平台的材质采用不锈钢或钨钢。
与现有技术相比,本实用新型的优点在于:
1、本实用新型通用性强,通过旋转角度改变顶针接触面积,一个治具可适用于大部分芯片尺寸;
2、本实用新型通过旋转角度调控顶针与芯片的接触面积,与芯片接触面积由大逐步减小,并可通过编程调控进行上下升降,能有效增强多步顶脱膜效果。
附图说明
图1为现有多步顶多圈治具各状态的示意图。
图2为本实用新型一种椭圆可活动顶针结构各状态的示意图。
图3为本实用新型一种椭圆可活动顶针结构的工作过程示意图。
其中:
基座 1
椭圆平台 2
芯片 3。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。
如图2、图3所示,本实施例中的一种椭圆可活动顶针结构,它包括基座1,所述基座1上设置有可沿竖直方向升降的转轴,所述转轴上设置有多组椭圆平台2,每组椭圆平台2有两个,两个椭圆平台2左右对称布置,所述转轴位于椭圆平台2的中心,多组椭圆平台随芯片尺寸旋转到适当夹角,利用多组椭圆平台展开的夹角顶取不同尺寸的芯片,转轴向上升起带动多组椭圆平台顶起芯片;
所述椭圆平台2采用椭圆环的形式;
所述椭圆平台2的材质采用不锈钢或钨钢。
除上述实施例外,本实用新型还包括有其他实施方式,凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案,均应落入本实用新型权利要求的保护范围之内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造