[实用新型]电镀洗边结构有效
申请号: | 201820975644.6 | 申请日: | 2018-06-25 |
公开(公告)号: | CN209000872U | 公开(公告)日: | 2019-06-18 |
发明(设计)人: | 苏亚青 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 栾美洁 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 洗边 喷嘴 电镀 本实用新型 晶圆 圆周均匀分布 机台 补给管路 单位产出 管路清洗 化学药液 晶圆中心 距离相等 清洗 进程 | ||
本实用新型公开了一种电镀洗边结构,其中包括至少两条洗边管路,每一条洗边管路的前端装有喷嘴,后端连接化学药液补给管路,所述喷嘴呈360°圆周均匀分布在晶圆的边缘;所述喷嘴到晶圆中心的距离相等;每条洗边管路上均设有开关,可以分别控制每条洗边管路的打开和关闭。本实用新型在洗边工艺中采用多条洗边管路清洗晶圆的边缘,且可以根据实际需要控制参与清洗的洗边管路的数量,从而加快洗边进程,减少洗边工艺所耗费的时间,提高电镀机台的单位产出。
技术领域
本实用新型涉及半导体集成电路制造技术,具体属于一种电镀洗边结构。
背景技术
目前,在半导体制造过程中,对晶圆进行电镀铜工艺之后,需要将硅晶圆边缘的铜薄膜进行去除处理(edge bevel remove,简称EBR),如图1所示,从而避免硅晶圆边缘的这部分铜在后续工艺中产生脱落,导致产品的不良率提升。
然而,随着半导体产品的尺寸越来越小,芯片连线所需的铜线线宽也越来越窄,沉积在晶圆边缘的铜薄膜厚度也越来越薄,电镀工艺所用的时间越来越短,在节点为28nm及以下的电镀设备中,洗边工艺所花费的时间无法随着电镀工艺相应地成比例减少,这就限制了电镀工艺的生产效率,成为整个电镀设备产能提高的瓶颈。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种电镀洗边结构,可以解决洗边工艺效率低耗时多的问题。
为解决上述技术问题,本实用新型提供的电镀洗边结构,包括至少两条洗边管路,每一条洗边管路的前端装有喷嘴,后端连接化学药液补给管路,所述喷嘴呈360°圆周均匀分布在晶圆的边缘。
在上述结构中,所述喷嘴到晶圆中心的距离相等。
较佳的,所述洗边管路的数量为2-10条。
在上述结构中,所述洗边管路共同连接一条化学药液补给管路。
或者在上述结构中,每条洗边管路连接一条独立的化学药液补给管路。
在上述结构中,每条洗边管路上均设有开关,可以分别控制每条洗边管路的打开和关闭。
其中,所述化学药液补给管路输送的是硫酸和双氧水的混合液。
本实用新型在洗边工艺中采用多条洗边管路清洗晶圆的边缘,且可以根据实际需要控制参与清洗的洗边管路的数量,从而加快洗边进程,减少洗边工艺所耗费的时间,提高电镀机台的单位产出。
附图说明
图1为现有的电镀洗边结构的示意图;
图2为本实用新型的电镀洗边结构的第一实施例示意图;
图3位本实用新型的电镀洗边结构的第二实施例示意图。
其中附图标记说明如下:
1为晶圆;2为洗边管路;3为喷嘴。
具体实施方式
下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。
本实用新型的电镀洗边结构,包括至少两条洗边管路2,每一条洗边管路2的前端装有喷嘴3,后端连接化学药液补给管路,所述喷嘴3呈360°圆周均匀分布在晶圆1的边缘。
第一实施例
如图2所示,在本实施例中,电镀洗边结构包括两条洗边管路2,这两条洗边管路2关于晶圆1的中心均匀分布在晶圆1的边缘,即两喷嘴3之间的夹角为180°且两个喷嘴3到晶圆中心的距离相等。
第二实施例
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造