[实用新型]一种离子源以及镀膜装置有效
申请号: | 201820973838.2 | 申请日: | 2018-06-22 |
公开(公告)号: | CN208362457U | 公开(公告)日: | 2019-01-11 |
发明(设计)人: | 赵鑫 | 申请(专利权)人: | 新奥科技发展有限公司 |
主分类号: | C23C14/46 | 分类号: | C23C14/46;C23C14/04 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 李文博 |
地址: | 065001 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发射电极 阴极靶材 离子源 中空柱状结构 本实用新型 接地电极层 镀膜装置 柱状 等离子体技术 等离子体溅射 成膜均匀性 管道内壁 管状工件 绝缘连接 内壁镀膜 柱状侧面 溅射面 镀膜 覆盖 改进 | ||
1.一种离子源,其特征在于,包括:
发射电极;所述发射电极为柱状;
阴极靶材,所述阴极靶材为中空柱状结构,且所述中空柱状结构套设于所述发射电极的柱状侧面上,所述阴极靶材背向所述发射电极的表面为溅射面;
分别覆盖于所述发射电极的柱状上下两个底面上的接地电极层,每一个所述接地电极层与所述发射电极和所述阴极靶材绝缘连接。
2.根据权利要求1所述的离子源,其特征在于,每一个所述接地电极层均为一端开口的筒状结构,所述发射电极和所述阴极靶材被夹设在两个所述筒状结构之间,且所述筒状结构的侧面分别覆盖于所述中空柱状结构沿轴向两端的侧面上。
3.根据权利要求1所述的离子源,其特征在于,
所述发射电极的外周面上间隔插设有磁体,相邻两个磁体朝向外侧的磁极磁性相反。
4.根据权利要求1-3任一项所述的离子源,其特征在于,
所述发射电极沿轴向的至少一个端面上还设有与所述阴极靶材的周向连通的放射状气体流道,所述接地电极层上穿设有与所述放射状气体流道连通的进气管。
5.根据权利要求1-3任一项所述的离子源,其特征在于,
所述发射电极沿轴向的一个端面上还连接有电源馈入端子,所述电源馈入端子穿过所述接地电极层与电源连接,所述电源馈入端子与所述接地电极层之间相互绝缘。
6.根据权利要求1-3任一项所述的离子源,其特征在于,
所述发射电极内部还设置有冷却介质流道,所述接地电极层上还穿设有与所述冷却介质流道连通的冷却介质输入管和冷却介质输出管。
7.根据权利要求2所述的离子源,其特征在于,
所述筒状结构的侧面上沿周向还连接有可沿所述中空柱状结构的轴向方向滑动或滚动的支撑件。
8.一种镀膜装置,其特征在于,包括:
如权利要求1-7任一项所述的离子源,还包括:
与所述离子源连接的传送装置,所述传送装置用于带动所述离子源沿自身轴线的延伸方向移动。
9.根据权利要求8所述的镀膜装置,其特征在于,还包括:
旋转驱动装置,所述旋转驱动装置用于驱动所述离子源沿自身轴线旋转。
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