[实用新型]一种多主栅晶硅太阳能电池背电场结构有效
申请号: | 201820969404.5 | 申请日: | 2018-06-22 |
公开(公告)号: | CN208240694U | 公开(公告)日: | 2018-12-14 |
发明(设计)人: | 常青;张冠纶;吴俊旻;尹丙伟;杨蕾;张元秋;张鹏 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(安徽)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/028;H01L31/04 |
代理公司: | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人: | 杨俊达 |
地址: | 230088 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 背银电极 梯形长边 梯形短边 电极段 主栅 晶硅太阳能电池 太阳能电池片 本实用新型 背电场 电极孔 铝背场 电池转换效率 太阳能电池 背面设置 对准度 背极 焊接 | ||
本实用新型公开了一种多主栅晶硅太阳能电池背电场结构,包括太阳能电池片,所述太阳能电池片背面设置有铝背场,所述铝背场中开设有多个电极孔,所述电极孔分为电极段和露硅段,所述露硅段设置在电极段两侧,且电极段中设置有背银电极;所述露硅段设置为梯形,且露硅段远离背银电极一端为梯形短边,所述露硅段靠近背银电极一端为梯形长边,所述梯形短边的长度为0‑1.2mm,所述梯形长边的长度为0.6‑2mm,且梯形短边的长度始终小于梯形长边的长度。本实用新型改变多主栅太阳能电池背极露硅处设计,一方面有利于提升焊接的对准度,另一方面可以减少露硅面积,提升电池转换效率。
技术领域
本实用新型涉及技术领域,具体为一种多主栅晶硅太阳能电池背电场结构。
背景技术
将硅片制作成为太阳能电池的过程主要包括:制绒、扩散、刻蚀、镀膜、印刷和烧结,其中,印刷工序是在制作太阳电池的正面电极和背面电极,以使太阳能电池在光照下生成的正负离子输出到负载。印刷时一般先进行背电极印刷,然后进行背电场印刷,背电极的周边由背电场遮挡,以避免背电极脱落,目前的技术中,背电极和背电场设于硅片上,背电极的厚度小于背电场的厚度,背电极的周边由背电场遮挡,则背电极和背电场交界处的高度差较大,高度差约为背电场的厚度,高度差通常为20um左右。
太阳能电池组件中,需要将太阳能电池用焊带串焊起来,具体地,焊带沿背电极设置,即焊带的长度方向即为背电极的长度方向。背电极和背电场的交界处高度差较大,则焊带在背电极和背电场的交界处的应力较大,太阳能电池组件较易出现隐裂和碎片,影响太阳能电池组件的质量,也导致太阳能电池组件的生产成本较大。
综上所述,如何减小背电极和背电场交界处的高度差,以减小太阳能电池组件出现隐裂和碎片的几率,是目前本领域技术人员亟待解决的问题。
现有技术中,为了解决上述问题,申请号为“201720711052.9”的一种太阳能电池和太阳能电池组件,太阳能电池包括背电极和背电场;其中,沿背电极的长度方向,背电极的端面与背电场之间具有第一间隙,或背电极的端面与背电场平齐,在该太阳能电池中,沿背电极的长度方向,背电极的端面与背电场之间具有第一间隙或背电极的端面与背电场平齐,这样,有效减小了背电极和背电场交界处的高度差,从而减小了焊带于背电极和背电场交界处的应力,进而减小了太阳能电池组件出现隐裂和碎片的几率。
虽然上述该太阳能电池解决了背电极和背电场交界处的高度差的问题,但是,针对第一间隙的问题,如何调整第一间隙,使得电池的转换效率更高仍然是个比较难解决的缺陷问题。
随着太阳能技术的发展,电池制造成本的下降一直被认为是行业发展的趋势,近两年来,在晶硅太阳能电池技术里,多主栅技术由于可以节省正银浆料15%-30%,并且电池转换效率绝对值可以提升0.1%-0.3%,目前此技术已逐渐被各大企业青睐。
如说明书附图1、说明书附图2以及说明书附图3所示,显示了传统的多主栅晶硅太阳能电池背面示意图,可以看到传统的电池背电极边缘的背场设计都是背极两端留有一定尺寸的露硅,且露硅图形的尺寸是方形,这种设计是沿用常规非多主栅晶硅太阳能电池的背极背场设计,因为常规非多主栅晶硅太阳能电池是使用焊带进行焊接,由于焊带较为扁平,其宽度一般为0.9-1.5mm,所以背电极两边的露硅设计须采用说明书附图1中的方形设计。
但是多主栅晶硅太阳能电池在组件焊接过程中使用的是焊丝,焊丝的横截面是圆形,其直径一般为0.3-0.5mm,比焊带的宽度小很多,因此传统的非多主栅晶硅电池背电极两头的露硅设计就不再适合于多主栅电池。晶硅太阳能电池在烧结后背电极的高度一般小于背电场的高度,且在组件焊接过程中使用的焊带或焊丝具有一定的刚性,采用露硅的设计就是为了保障焊带或焊丝与背电极接触点之间形成有效过渡,这样可以增加焊点或焊丝与背电极的接触面积,保障焊接质量,露硅实际上就是不印刷背电场,让底层硅片表面裸露出来。背电场有利于对硅片表面进行保护,提升光在硅片的反射率,并且有一定钝化作用,从而提升电池转换效率,因此露硅设计会在一定程度上降低电池转换效率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的