[实用新型]一种低能耗刻蚀液中和反应罐有效
申请号: | 201820965941.2 | 申请日: | 2018-06-22 |
公开(公告)号: | CN208554213U | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
发明(设计)人: | 冯卫文;王涛;宋斌;罗堂富;王芳 | 申请(专利权)人: | 绵阳艾萨斯电子材料有限公司 |
主分类号: | B01J19/24 | 分类号: | B01J19/24 |
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地址: | 621000 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 刻蚀液 混流 碱液 酸液 本实用新型 中和反应罐 搅拌装置 低能耗 进液腔 隔板 碱性刻蚀液 酸性刻蚀液 充分混合 初步混合 多层隔板 网状挡板 液体流程 中和反应 重力作用 出液口 加宽 加长 网孔 下端 交错 能耗 中和 | ||
本实用新型公开了一种低能耗刻蚀液中和反应罐,包括混流罐、中和灌、进液腔和出液口。其特征在于:通过在混流罐内设置相互交错的多层隔板,酸性刻蚀液和碱性刻蚀液在重力作用下流经层层隔板,大大加长加宽了液体流程,即增加了酸液和碱液混合的机会和时间,不需要搅拌装置即可实现酸液和碱液的充分混合;将酸液口和碱液口集成在一起,酸、碱刻蚀液可同时注入混流罐,而且进液腔下端设置有网孔较小的网状挡板,使得酸液和碱液在进入混流罐之前已经得到了初步混合。本实用新型结构简单,取消了搅拌装置,大大降低了酸、碱刻蚀液中和反应的能耗。
技术领域
本实用新型涉及一种反应罐,具体涉及一种低能耗刻蚀液中和反应罐。
背景技术
刻蚀技术不仅是半导体器件和集成电路的基本制造工艺,而且还应用于薄膜电路、印刷电路和其他微细图形的加工。刻蚀分为湿法刻蚀和干法刻蚀,湿法刻蚀是最普遍、成本最低的刻蚀方法,因此刻蚀液在半导体生产工艺应用非常普遍。刻蚀液的生产过程中,有时需要将酸性刻蚀液与碱性刻蚀液进行中和,此时需要用到中和反应罐。目前,现有的中和反应罐都需要通过搅拌电机带动搅拌装置进行搅拌混匀,能耗较高。
实用新型内容
本实用新型为了克服上述问题,设计一种低能耗刻蚀液中和反应罐。
本实用新型是通过如下技术方案实现的:一种低能耗刻蚀液中和反应罐,包括混流罐、中和罐、进液腔和出液口其特征在于:
所述混流罐为方形,混流罐内设置有多层隔板,所述隔板一端与混流罐内壁封闭连接,另一端与混流罐内壁有间隙,相邻隔板与混流罐内壁形成的间歇交错排列;
所述混流罐其中一侧可开关,与可开关一侧相邻的两侧设有梯形槽,所述隔板与混流罐连接的连接端头截面呈梯形,连接端头与梯形槽相匹配,隔板通过连接端头插入梯形槽;
所述隔板上设有纵横交错的凹槽;
所述进液腔设置于混流罐顶部,进液腔上集成有酸液口和碱液口;
所述进液腔底部为网状挡板;
所述中和罐与混流罐一体成型,并位于混流罐的底部,中和罐与混流罐之间由一边高一边低的斜面板隔开,斜面板较低的一端与混流罐侧壁有间歇,该间歇成为液体流入中和罐的通道;
所述中和罐内壁设置有pH值检测头,所述混流罐顶部设置有pH值显示器,pH值检测头与pH值显示器电性连接;
所述pH值检测头与中和罐底部的距离和与斜面板最高处的距离相等。
进一步地,所述隔板与混流罐内壁之间的间歇宽度为3cm~5cm。
进一步地,所述网状挡板网孔为圆形,网孔直径0.3mm~0.5mm。
与现有技术相比,本实用新型具有以下有益效果:
1、本实用新型完全取消了搅拌装置,通过设置相互交错的多层隔板,酸液和碱液在重力作用下流经层层隔板,大大加长加宽了液体流程,也就是增加了酸液和碱液混合的机会和时间;同时,隔板上设有纵横交错的凹槽,进一步促进了液体的混合,不需要搅拌装置即可实现酸液和碱液的充分混合。
2、本实用新型将酸液口和碱液口集成在一起,酸、碱刻蚀液可同时注入混流罐,而且进液腔下端设置有网孔较小的网状挡板,使得酸液和碱液在进入混流罐之前已经得到了初步混合,进一步提高了混合效果。
3、隔板通过梯形端头插入梯形槽的方式与混流罐内壁连接,混流罐还可以打开,便于将隔板抽出清洗。
4、中和罐内设有pH值检测头,该检测头与设置于混流罐顶部的pH值显示器电性连接,酸、碱刻蚀液的中和结果是否符合要求,可以得到直观的显示。
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